集成器件电子学--聚文网

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内容简介

本书为集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。本书以构成集成电路的核心半导体器件为对象，以集成电路设计为出发点，聚焦集成器件电子学理论知识，深入阐述集成电路中集成半导体器件的载流子运动规律与器件工作物理原理，系统介绍在现代集成电路中主要使用的半导体器件，重点阐述 PN结，双极晶体管BJT、 MOSFET器件，对比介绍异质PN结、金属－半导体接触、异质结双极晶体管HBT ，以及结型场效应晶体管和金属－半导体场效应晶体管基础知识；同时系统深入介绍了集成电路设计中相应器件结构与版图、仿真与模型核心知识。本书可作为高等学校集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程等专业本科生核心课程教材，以及集成电路科学与工程、电子科学与技术等专业研究生的课程教材。本书也可以作为从事集成电路与半导体器件设计、工程和研发的工程师及科研人员的参考资料。

第1章绪论：半导体器件与集成电路 1.1 从半导体器件到集成电路 1.1.1 半导体器件 1.1.2 集成电路 1.2 半导体基础结构与器件 1.2.1 基础结构 1.2.2 代表性的半导体器件 1.3 集成电路工艺与器件版图 1.3.1 集成电路工艺 1.3.2 集成电路器件版图 1.4 电路仿真与器件模型 1.4.1 SPICE 电路仿真与器件建模 1.4.2 半导体器件模型及模型参数习题第2章 PN结 2.1 平衡PN结 2.1.1 PN结的形成和杂质分布 2.1.2 平衡PN结物理过程分析 2.1.3 平衡PN结特点的表征 2.1.4 内建电势V定量分析 2.1.5 突变PN结势垒区电场、电位分布定量分析 2.1.6 空间电荷区宽度W的定量分析 2.2 理想PN结直流伏安特性 2.2.1 PN结单向导电性物理过程分析 2.2.2 理想PN结直流伏安特性定量分析 2.2.3 理想PN结直流伏安特性的进一步讨论 2.3 非理想效应对PN结直流伏安特性的影响 2.3.1 实际Si二极管直流伏安特性与理想模型的偏离 2.3.2 势垒区产生电流对PN结反向电流的影响 2.3.3 势垒区复合电流对正向小电流特性的影响 …… 第3章双极晶体管(BJT) 第4章场效应晶体管(FET)基础第5章 MOSFET进阶第6章 IC器件结构与工艺实现第7章双极IC器件结构与版图第8章 MOS IC器件结构与版图第9章新型 MOSFET 器件结构第10章器件模型与模型参数第11章 BJT模型与模型参数第12章 MOSFET 模型参考文献

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