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微纳集成电路制造工艺
字数: 420
出版社: 高等教育
作者: 编者:戴显英|
商品条码: 9787040640380
适读年龄: 12+
版次: 1
开本: 16开
页数: 270
出版年份: 2025
印次: 1
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舞蹈音乐的基础理论与应用
内容简介
本书为集成电路新兴领 域“十四五”高等教育教材。 本书共五篇23章。第一篇介 绍集成电路制造器件基础, 包括MOSFET器件、功率器 件、逻辑芯片和存储芯片; 第二篇介绍集成电路制造工 艺设计基础,包括工艺设计 套件、光刻版技术、光学邻 近修正(OPC)、集成电路 工艺及器件仿真工具TCAD ;第三篇介绍集成电路制造 基本工艺,包括光刻工艺、 刻蚀工艺、薄膜工艺、掺杂 工艺、清洗工艺与化学机械 研磨;第四篇介绍集成电路 制造工艺集成技术,包括阱 工艺、浅槽隔离工艺、栅极 工艺、源漏工艺、金属硅化 物工艺、接触孔/通孔工艺 和金属互连工艺;第五篇介 绍集成电路制造后端工艺, 包括晶圆测试、封装技术、 品质认证及智慧制造。 本书的特色是结合了集 成电路制造工程实践中遇到 的实际问题及其解决方案, 使读者能够深入理解和掌握 集成电路工艺实现的各个环 节。 本书可作为集成电路设 计与集成系统、微电子科学 与工程专业高年级本科生和 研究生的教材,也可作为从 事集成电路设计和研发的技 术人员的参考书。
作者简介
戴显英,工学博士、教授、博士生导师,西安电子科技大学集成电路学部微电子学院教学指导委员会委员、微电子科学与工程专业负责人与专业课程思政首席教授、工程概论首席教授、集成电路制造工艺课程组负责人。 主要从事硅基半导体应变理论与技术、半导体生长动力学、半导体光电生物传感器等的科研与教学,主持国家自然科学基金、国防973等科研项目20多项,发表SCI论文100余篇,获授权发明专利30余项,获教育部科技进步奖二等奖、陕西省科学技术进步奖三等奖、全国高校混合式教学设计创新大赛二等奖和设计之星等奖励。
目录
第一篇 集成电路制造器件基础 第1章 MOSFET器件 1.1 MOSFET器件工作原理 1.1.1 MOSFET器件结构 1.1.2 MOSFET器件工作原理 1.2 MOSFET器件电流特性简介 1.2.1 漏极电压几乎为0的情况 1.2.2 漏极电压有限的情况 1.3 短沟道MOSFET器件效应 1.3.1 短沟道效应 1.3.2 漏致势垒降低效应 1.3.3 热载流子效应 小结 思考与习题 第2章 功率器件 2.1 功率器件概述 2.1.1 功率器件分类 2.1.2 功率器件损耗 2.2 功率MOSFET器件 2.2.1 功率MOSFET器件结构 2.2.2 功率MOSFET电学特性 2.3 VDMOS功率器件 2.3.1 工作原理 2.3.2 静态电性参数 小结 思考与习题 第3章 逻辑芯片 3.1 逻辑芯片概述 3.1.1 逻辑芯片工作原理 3.1.2 逻辑芯片类型 3.2 反相器 3.2.1 反相器结构 3.2.2 反相器的直流特性 3.3 静态随机存取存储器(SRAM) 3.3.1 SRAM结构 3.3.2 SRAM的基本操作 小结 思考与习题 第4章 存储芯片 4.1 存储芯片概述 4.2 非易失性存储器件(NVM)工作原理 4.2.1 NOR Flash …… 第二篇 集成电路制造工艺设计基础 第三篇 集成电路制造基本工艺 第四篇 集成电路制造工艺集成技术 第五篇 集成电路制造后端工艺 参考文献
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