III族氮化物薄膜生长与测试

本教材聚焦国家半导体 战略，系统论述了宽禁带半 导体核心材料Ⅲ族氮化物的 基础理论、制备技术与性能 评估方法。第一篇从晶体结 构、物理化学特性出发，解 析材料在光电子与高功率器 件中的应用机理；第二篇介 绍了化学/物理气相沉积技 术原理与工艺优化策略；第 三篇阐述了光学、电学等性 能多维度表征方法。同时， 书中结合了研究团队创新成 果，为学科发展和产业升级 注入新动能。 本书实现“三位一体”功 能集成，可作为材料科学和 微电子等专业学生的基础课 程教材、Ⅲ族氮化物材料生 长与性能检测技术人员的重 要技术资料以及对Ⅲ族氮化 物感兴趣读者的图书。本书 通过融合理论与产业实践， 兼具专业教材、技术手册和 科技读物的复合价值，为Ⅲ 族氮化物材料应用与发展提 供重要支撑。

前言 第一篇 Ⅲ族氮化物薄膜的背景与基础 第1章 Ⅲ族氮化物薄膜的基本概述 1.1 Ⅲ族氮化物薄膜生长的基本概述 1.1.1 基本概念 1.1.2 基本原理 1.1.3 生长方法概述 1.2 Ⅲ族氮化物薄膜的晶体结构与基本性质 1.2.1 晶体结构 1.2.2 物理性质 1.2.3 化学性质 1.3 本书章节内容概述 1.4 本章小结 习题 参考文献 第二篇 Ⅲ族氮化物薄膜的生长 第2章 Ⅲ族氮化物薄膜的化学气相沉积 2.1 绪言 2.2 Ⅲ族氮化物薄膜的热化学气相沉积 2.2.1 引言 2.2.2 基本工作原理 2.2.3 热化学气相沉积设备结构 2.2.4 热化学气相沉积法薄膜质量的影响因素 2.3 Ⅲ族氮化物薄膜的金属有机物化学气相沉积 2.3.1 引言 2.3.2 基本工作原理 2.3.3 金属有机物化学气相沉积仪器结构 2.3.4 金属有机物化学气相沉积Ⅲ族氮化物薄膜质量的影响因素 2.4 Ⅲ族氮化物薄膜的等离子体增强化学气相沉积 2.4.1 引言 2.4.2 基本工作原理 2.4.3 等离子体增强化学气相沉积设备结构 2.4.4 等离子体增强化学气相沉积Ⅲ族氮化物薄膜质量的影响因素 2.5 Ⅲ族氮化物薄膜的氢化物气相外延 2.5.1 引言 2.5.2 基本工作原理 2.5.3 氢化物气相外延沉积设备结构 2.5.4 氢化物气相外延Ⅲ族氮化物薄膜质量的影响因素 2.6 本章小结 习题 参考文献 第3章 Ⅲ族氮化物薄膜的物理气相沉积 3.1 绪言 3.2 Ⅲ族氮化物薄膜的分子束外延 3.2.1 引言 3.2.2 基本工作原理 3.2.3 分子束外延装置结构 3.2.4 分子束外延Ⅲ族氮化物薄膜质量的影响因素 3.3 Ⅲ族氮化物薄膜的脉冲激光沉积 3.3.1 引言