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内容简介

本书立足集成电路制造业，以全方位视角，按产业链上游、中游、下游逐级剖析，采用分形理论框架，系统地绘制出集成电路制造业的立体知识树。在内容组织方面，本书以实际应用为导向，涵盖集成电路设计、生产制造及封装测试三大关键环节，聚焦芯片的尖端制造技术和先进封装技术，以分形逻辑详细介绍产业链的每一个环节。本书共12章。第1章为绪论，简要介绍集成电路制造技术的发展历程，集成电路制造业的概况、产业链结构与特点，以及发展趋势。第 2章～第10章深入探讨先进制造的工艺与设备，首先具体介绍芯片制造的单项工艺、关键材料、系统工艺，以及芯片设计与工艺的协同优化，随后详细介绍光刻机、沉积与刻蚀设备、化学机械抛光，以及其他关键工艺设备与工艺量检测设备。第11 章、第12章分别介绍芯片封装与测试，以及先进封装与集成芯片制造技术。本书可供集成电路、微电子、电子科学与技术等相关专业的研究生和高年级本科生学习，也可供相关专业高校教师和集成电路行业的研究人员、工程师等阅读。

作者简介

赵巍胜，长期从事大规模集成电路、新型非易失性存储芯片及自旋电子学等交叉方向研究，现担任中国科学技术协会第十届全国委员会常务委员会委员、第八届教育部科学技术委员会委员、北京航空航天大学研究生院常务副院长、工业和信息化部空天信自旋电子技术重点实验室主任、集成电路领域国际旗舰期刊IEEE Transac-tions on Circuits and Systems-I: Regular Paper总主编。2019年当选IEEE Fellow；2020年获聘教育部长江学者，入选爱思唯尔“中国高被引学者”；2021年获科学探索奖，中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖。 2007年获法国南巴黎大学（现巴黎萨克雷大学）物理学博士学位，2009年任法国国家科学院研究员（终身职位），2013年入职北京航空航天大学后取得了一系列国际领先的科研成果，如首次展示了将自旋轨道矩与自旋转移矩结合实现高速读写的自旋电子存储器件（Nature Electronics,2018）,研制了超高隧穿磁阻器件（Nature Commu-nications,2018）、基于自旋轨道矩翻转界面偏置的自旋电子器件（Nature Electronics,2020）等。近五年发表ESI高被引论文7篇，总索引超过13000次，H因子62；获授权专利75项，转让专利22项，曾担任2020年第30届ACM GLSVLSI大会主席等学术会议职务。

第1章绪论本章重点 1.1 集成电路制造技术发展历程 1.2 现代集成电路制造业概况 1.3 集成电路制造业产业链结构与特点 1.4 集成电路制造业发展趋势第2章芯片制造的单项工艺本章重点 2.1 热氧化工艺 2.1.1 热氧化机理与工艺 2.1.2 热氧化工艺中SiO2的性质及用途 2.1.3 氧化层的质量检测 2.2 图形化工艺 2.2.1 光刻原理与工艺 2.2.2 刻蚀原理及工艺 2.2.3 图形化工艺流程 2.2.4 多重图形技术 2.2.5 新型图形化技术：纳米压印光刻 2.3 掺杂工艺 2.3.1 掺杂原理 2.3.2 热扩散掺杂 2.3.3 离子注入掺杂 2.4 薄膜沉积工艺 2.4.1 CVD 2.4.2 PVD 2.4.3 ALD 2.4.4 其他薄膜沉积技术 2.4.5 芯片制造中的薄膜 2.5 互连工艺 2.5.1 互连工艺概述 2.5.2 铝互连工艺 2.5.3 铜互连工艺 2.6 辅助性工艺 2.6.1 清洗工艺 2.6.2 CMP 2.6.3 晶圆检测技术 2.7 本章小结思考题参考文献第3章芯片制造的关键材料本章重点 3.1 硅晶圆材料 3.1.1 半导体材料的发展 3.1.2 硅衬底材料 3.1.3 硅晶圆材料与制备工艺 3.1.4 硅晶圆材料市场发展现状 3.2 宽禁带半导体材料 3.2.1 SiC材料及制造工艺 3.2.2 GaN材料及制造工艺 3.2.3 宽禁带半导体材料的应用成果

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