功率半导体器件基础/国外电子与通信教材系列

字数: 1095
出版社: 电子工业
作者: (美)巴利加|译者:韩郑生//陆江//宋李
商品条码: 9787121195259
适读年龄: 12+
版次: 1
开本: 16开
页数: 566
出版年份: 2013
印次: 1

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内容简介

《功率半导体器件基础》(作者巴利加)系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率半导体器件，采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式，辅助大量翔实的图表数据，帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。《功率半导体器件基础》既可作为电力电子领域相关人员入门了解功率半导体器件的参考书，亦可作为专业技术人员深入研究的资料。也适用于相关专业的本科生、研究生课程的配套教材或指导书。

作者简介

巴利加(Baliga)教授是国际公认功率半导体技术的引领者。

第1章绪论 1.1 理想和典型的功率开关模型 1.2 理想和典型的功率器件参数 1.3 单极功率器件 1.4 双极功率器件 1.5 MOS双极功率器件 1.6 单极功率器件的理想漂移区 1.7 电荷耦合结构：理想的特征导通电阻 1.8 小结习题参考文献第2章材料特性和传输物理第3章击穿电压第4章肖特基整流器第5章 P-i-N整流器第6章功率MOS场效应晶体管第7章双极结型晶体管第8章晶闸管第9章绝缘栅双极晶体管第10章应用综述