半导体器件物理基础

本书按照“载流子浓度随 时间、空间变化的基本规律 ”和“宏观量与微观量之间的 联系”两条主线，系统介绍 了半导体物理的基础知识和 半导体器件的基本原理与特 性。具体内容包括半导体的 电子状态、热平衡半导体、 PN结的机理与特性、双极 结型晶体管、金属－氧化物 －半导体结构、金属－半导 体结与其他晶体管、闪存存 储器、集成电路制造工艺等 。 本书可作为高等院校集 成电路科学与工程、集成电 路设计与集成系统、电子科 学与技术、微电子学、光电 子技术、物理学等专业的半 导体器件物理相关课程的教 材，也可供有关科研人员和 工程技术人员参考。

第1章 半导体中的电子状态 1.1 固体的晶格结构 1.2 量子力学概述 1.3 半导体的能带 1.4 有效质量 第2章 热平衡半导体 2.1 半导体中的杂质和缺陷 2.2 载流子的统计分布 2.3 能带中的电子和空穴浓度 2.4 本征与杂质半导体的载流子浓度 2.5 简并半导体 2.6 非平衡载流子 2.7 载流子的漂移 2.8 载流子的扩散 2.9 连续性方程 第3章 PN结的机理与特性 3.1 热平衡PN结 3.2 平衡PN结载流子、电场与电势分布 3.3 正偏压下的PN结 3.4 反向偏置的PN结 3.5 PN结特性的温度影响及非理想因素 3.6 PN结的电容与瞬变特性 3.7 PN结击穿 3.8 隧道二极管 第4章 双极结型晶体管 4.1 双极结型晶体管的结构与工作原理 4.2 理想双极结型晶体管的直流电流方程 4.3 非理想效应 4.1 晶体管的频率响应 4.5 晶体管的开关特性 第5章 金属一氧化物-半导体结构 5.1 MOS结构的载流子状态 5.2 理想MOS结构的电容-电压特性 5.3 实际MOS结构的电容-电压特性 5.4 MOS场效应晶体管的工作原理 5.5 MOS场效应晶体管的电流电压特性 5.6 MOs场效应管的等效电路和频率响应 5.7 MOS场效应晶体管的开关特性 5.8 短沟道效应 5.9 MOS管沟道限制与新技术 第6章 金属-半导体结与其他晶体管 6.1 平衡状态的金属-半导体结 6.2 肖特基二极管 6.3 结型场效应管的结构与原理 6.4 结型场效应管的电学特性 6.5 JFET的小信号等效电路与频率特性 6.6 MESFET和HEMT 6.7 PNPN结构器件及晶闸管 第7章 闪存存储器 7.1 闪存存储器概述