晶圆级应变SOI技术

字数: 205000
装帧: 平装
出版社: 西安电子科技大学出版社
作者: 戴显英,苗东铭,荆熠博著
出版日期: 2024-11-01
版次: 1
开本: 16开
isbn: 9787560674063
页数: 160
出版年份: 2024

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内容简介

进入21世纪以来, 应变硅和SOI(Silicon-On-Insulator, 绝缘体上硅)被公认为是深亚微米和纳米工艺制程维持摩尔定律(Moore’s Law)和后摩尔定律的两大关键技术, 也被称为21世纪的硅集成电路技术。
本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。
本书主要面向硅基应变半导体理论与技术领域的研究者, 同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书。

第1章SOI晶圆制备技术
1.1注氧隔离技术
1.1.1氧离子注入剂量
1.1.2注入温度
1.1.3高温退火
1.2硅晶圆直接键合技术
1.2.1技术原理
1.2.2工艺流程
1.2.3硅晶圆直接键合类型
1.2.4硅晶圆直接键合工艺
1.3智能剥离技术
1.3.1技术原理
1.3.2技术优点
1.3.3工艺流程
1.3.4低温键合工艺关键
1.3.5氢离子注入
1.3.6退火剥离
……