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二维GaN纳米片制备技术及特性调控

二维GaN纳米片制备技术及特性调控

  • 字数: 250000
  • 装帧: 平装
  • 出版社: 冶金工业出版社
  • 作者: 崔真,柳南,李恩玲 著
  • 出版日期: 2024-09-01
  • 商品条码: 9787502499969
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 204
  • 出版年份: 2024
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库存: {{selectedSku?.stock}} 库存充足
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{{its.name}}
精选
内容简介
本书共分14章,主要内容包括两步法制备氮化镓纳米片、化学气相沉积法制备氮化镓纳米片、液态金属催化法制备二维氮化镓纳米片,掺杂、吸附、钝化对二维氮化镓纳米片电子和光学特性的调控机制,二维氮化镓/Si9C15异质结光催化性能和扭曲双层二维氮化镓电子、力学和光学特性。
本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业师生的教学参考用书。
目录
1绪论
1.1二维材料
1.1.1二维材料的性质
1.1.2二维材料的应用
1.2GaN材料
1.2.1GaN材料的性质
1.2.2二维GaN材料的研究背景
1.2.3不同构型的二维GaN
1.3二维GaN材料的制备方法
1.3.1化学气相沉积法
1.3.2模板转换生长法
参考文献
2理论计算基础
2.1第一性原理
2.1.1多粒子体系的Schrodinger方程
2.1.2Born-Oppenheimer近似
2.1.3Hartree-Fock方法
……

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