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集成电路原理与设计
字数: 666000.0
装帧: 平装
出版社: 北京大学出版社
作者: 无 著 甘学温 等 编
出版日期: 2006-02-01
商品条码: 9787301098028
版次: 1
开本: 16开
页数: 440
出版年份: 2006
定价:
¥56
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内容简介
本书全面系统地讲解了MOS和双极型数字集成电路和原理与设计。全书分为8章。第1章是绪论,介绍了集成电路的发展。第2章讲解了MOS和双极型集成电路的制作工艺以及SOI CMOS和BICMOS电路的制作工艺。第3章深入分析了MOS和双极型器件的工作原理以及SPICE模型,并讨论了集成电路中的无源元件以及互连线的寄生效应。第4章系统地讲解了MOS和双极型数字集成电路的基本电路结构,电路的工作原理和设计考虑。第5章分析了数字集成电路中常用的电路模块,包括组合逻辑电路模块、各种触发器以及时序电路模块。第6章讨论了集成电路的I/O设计。第7章简单介绍了MOS存储器。第8章全面地讨论了集成电路的设计方法以及数字集成电路的牌图设计方法。本书内容先进,反映了集成电路的最新发展。在内容安排是突出重点,强调基本知识,条理清楚,讲解透彻,便于学生自学。
本书可作为电子科学与技术类特别是微电子专业高年级本科生或研究生的教材,同时也是从事数字集成电路设计、制作、研究和应用的专业技术人员的重要参考书。对于其他专业的工程技术人员,也可以作为了解数字集成电路的一本参考书。
目录
第1章 绪论
参考文献
第2章 集成电路制作工艺
2.1 集成电路加工的基本操作
2.2 典型的CMOS结构和工艺
2.3 深亚微米CMOS结构和工艺
2.4 pn结隔离双极结构和工艺
2.5 氧化物隔离双极结构和工艺
2.6 先进的双极器件结构和工艺
2.7 SOI CMOS结构和工艺
2.8 BiCMOS结构和工艺
参考文献
第3章 集成电路中的器件及模型
3.1 长沟道MOS器件模型
3.2 小尺寸MOS器件中的二级效应
……
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