ESD物理与器件--聚文网

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内容简介

本书系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本书主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。
本书为作者的ESD系列专著的第一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。

作者简介

Steven H.Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的第一位IEEE Fellow。
他于1979年在巴法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。
他作为IBM开发团队的一员已有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性[如软失效率(SER)、热电子、漏电机制、闩锁和ESD]的研究工作。Voldman博士参与到闩锁技术的研发已有27年之久。他的工作主要针对用于双极型SRAM、CMOS DRAM、CMOS逻辑、SOI、BiCMOS、SiGe、RF CMOS、RF SOI、智能电源和图像处理技术中的工艺和电路设计的研究。在2008年，他成为了奇梦达DRAM开发团队的一员，从事70nm、58nm和48nm CMOS工艺的研究。同年，他成立了一个有限责任公司，并作为台积电45mn ESD和闩锁开发团队的一部分在其总部中国台湾新竹工作。目前他作为ESD和闩锁研发的高级首席工程师效力于Intersil公司。

作者简介
译者序
前言
致谢
第1章静电和热电物理学 1
1.1引言 1
1.2时间常数法 4
1.2.1ESD时间常数 4
1.2.2时间常数的层次结构 8
1.2.3热学时间常数 8
1.2.4热扩散 8
1.2.5绝热、热扩散的时间尺度和稳定状态 9
1.2.6电准静态场和磁准静态场 10
1.3不稳定性 11
1.3.1电气不稳定性 11
……

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