半导体芯片制造技术

本书全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，本书以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。

第1章  半导体芯片制造概述 （1） 1.1  半导体工业发展概述 （1） 1.2  半导体材料基础 （3） 1.2.1  半导体材料的基本性质 （3） 1.2.2  半导体材料分类 （4） 1.2.3  晶体 （6） 1.3  半导体生产污染控制 （9） 1.3.1  污染物的种类 （9） 1.3.2  污染物引起的问题 （9） 1.3.3  超净间的建设 （10） 1.3.4  超净间标准 （11） 1.3.5  超净间的维护 （12） 1.4  纯水的制备 （12） 1.4.1  纯水在半导体生产中的应用 （12） 1.4.2  离子交换制备纯水 （13） 1.4.3  水的纯度测量 （15） 小结 （15） 第2章  多晶半导体的制备 （16） 2.1  工业硅的生产 （16） 2.1.1  硅的简介 （16） 2.1.2  工业硅的制备 （16） 2.2  三氯氢硅还原制备高纯硅 （17） 2.2.1  原料的制备 （17） 2.2.2  三氯氢硅的合成及提纯 （18） 2.2.3  三氯氢硅还原 （20） 2.2.4  还原尾气干法分离回收 （21） 2.3  硅烷热分解法制备高纯硅 （21） 2.3.1  硅烷概述 （21） 2.3.2  硅烷的制备及提纯 （22） 2.3.3  硅烷热分解 （22） 小结 （23） 第3章  8.5.1  硅的湿法刻蚀 （122） 8.5.2  二氧化硅的湿法刻蚀 （123） 8.5.3  氮化硅的湿法刻蚀 （124） 8.5.4  铝的湿法刻蚀 （124） 小结 （125） 第9章  掺杂 （126） 9.1  热扩散 （126） 9.1.1  扩散概述 （126） 9.1.2  扩散形式 （126） 9.1.3  常用杂质的扩散方法 （127） 9.1.4  杂质扩散后结深和方块电阻的测量 （128） 9.2  离子注入技术 （131） 9.2.1  离子注入技术概述 （131）   9.2.2  离子注入设备 （132） 9.2.3  注入离子的浓度分布与退火 （134） 小结 （136） 第10章  封装 （137） 10.1  封装概述 （137） 10.1.1  封装的作用 （137） 10.1.2  封装的分类 （137） 10.1.3  常见的封装形式 （138） 10.2  封装工艺 （139） 10.2.1  封装工艺流程 （139） 10.2.2  封装材料 （140） 10.3  互连方法 （142） 10.3.1  引线键合 （142） 10.3.2  载带自动键合 （144） 10.3.3  倒装芯片 （146） 10.4  先进封装方法 （149） 10.4.1  多芯片组件 （149） 10.4.2  三维封装 （149） 10.4.3  芯片尺寸封装 （150） 10.4.4  系统级封装 （151） 小结 （151） 参考文献 （152）