CMOS电路设计布局与仿真

装帧: 平装
出版社: 机械工业出版社
出版日期: 2006-01-01
商品条码: 9787111165040
版次: 1
开本: 16开
页数: 0
出版年份: 2006

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内容简介

本书全面阐述了CMOS集成电路设计的理论与相关技术，内容覆盖集成电路设计、仿真和物理实现的全过程。书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。本书内容翔实，理论联系实际，包含大量习题，方便教学。本书可以作为集成电路设计师、版图设计师、集成电路项目管理人员以及相关专业的教授和科研工作者和高层次教科书或参考书。

译者序前言第一部分 CMOS基础第1章概述第2章阱第3章金属层第4章有源区层和多晶硅层第5章 MOSFET 第6章 BSIM SPICE模型第7章 CMOS无源元件第8章用LasiCkt做设计验证第9章 MOSFET的模拟模型第10章 MOSFET的数字模型第二部分 CMOS数字电路第11章反相器第12章静态逻辑门第13章传输门和触发器第14章动态逻辑电路第15章 VLSI版图设计第16章 BiCMOS逻辑门第17章存储电路第18章专用数字电路第19章数字锁相环第三部分 CMOS模拟电路第20章电流源和电流沉第21章基准源第22章放大器第23章反馈放大器第24章差分放大器第25章运算放大器第四部分混合信号电路第26章非线性模拟电路第27章动态模拟电路第28章数据转换器基础第29章数据转换器结构附录附录A Orbit CN20工艺附录B MOSIS按比例设计规划附录C HP CMOS14TB工艺索引