金属有机物气相外延

 

《金属有机物气相外延——理论与实践（第二版）》作为金属有机物气相外延（OMVPE或MOCVD）基础理论和应用实践方面的教学参考书，适用于材料物理，材料化学和电子专业的本科生和研究生。同时也适合作为OMVPE生产和研发人员的工具书。本书第一章首先总揽了OMVPE的生长过程，并和其他的外延工艺做细致的比较。第二到第六章则分别论述了OMVPE生长的各个方面：热力学（第二章），表面物理过程（第三章），反应源（第四章），动力学（第五章）以及流体力学和质量输运（第六章）。这些论述不但包括基本的模型论述，还包括主要研究进展以及发展的趋势，内容丰富。第七章讨论了OMVPE生长过程的设计，包括动力学限制及高温区的生长，同时也对整体的OMVPE过程进行设计。第八章则介绍了诸如GaAs，InP，GaN等特定的材料。第九章介绍了超晶格结构，第十章则对OMVPE生长的器件进行了论述。

杰拉尔德·B.斯特林费洛为美国工程院院士，IEEE会士，材料冶金协会巴丁奖，美国晶体生长协会终身荣誉奖，VonHumboldt美国资深科学家奖，犹他大学最高奖-Rosenblatt奖金，2010年OMVPE国际大会特别成就奖得主。
张国义为北大物理学院教授，北大宽禁带半导体联合研究中心主任。

第一章OMVPE方法概述
1.1引言
1.2外延技术的比较
1.3OMVPE生长过程概述
参考文献
第二章热力学
2.1相平衡的热力学基础
2.2相图
2.3外延生长的热力学驱动力
2.4固态组分
2.5四元系
2.6表面热力学
参考文献
第三章表面物理过程
3.1引言
3.2表面测量技术
3.3表面特性的直接观测
3.4原子级生长过程
3.5表面过程对OMVPE生长的影响
参考文献
第四章源物质
4.1引言
4.2Ⅱ族源
4.3Ⅲ族有机源
4.4Ⅴ族有机源
4.5Ⅵ族源
4.6金属有机掺杂源
参考文献
第五章动力学
5.1背景
5.20MVPE生长过程
5.3单相热解反应
5.4多相热解反应
5.5有序
参考文献
第六章流体力学与质量输运
6.1引言
6.20MVPE的完全流体力学处理
6.3边界层模型
6.4卧式OMVPE反应室近似分析方法
6.5反应室设计应用
参考文献
第七章OMVPE生长过程设计
7.1OMVPE生长的综合模型
7.2动力学限制的生长
7.3中等温度下所有气压范围内的生长过程
7.4高温区
7.5Ⅱ／Ⅵ族化合物的OMVPE生长
7.6总体工艺过程设计
参考文献
第八章OMVPE生长的材料
8.1GaAs
8.2AlGaAs
8.3GaInAs，AlInAs和AlGaInAs
8.4InP
8.5GaP，GaInP，A1GaInP
8.6As／P合金
8.7锑化物及其合金
8.8Ⅲ／Ⅴ族氮化物，AlGaInN
8.9Ⅲ／Ⅴ族半导体的选区生长
8.10Ⅱ／Ⅵ族半导体
8.11Ⅳ族半导体
8.12非半导体材料
参考文献
第九章超晶格
9.1AlGaAs／GaAs
9.2GaInAs／InP
9.3A1GaInP／GaInP
9.4GaInAs／GaAs
9.5AlGaInN
9.6应变层超晶格
9.7Si衬底上的GaAs
9.8SiGe合金
9.9Ⅱ／Ⅵ化合物
9.10掺杂超晶格
9.11原子层外延(ALE)
参考文献
第十章器件
10.1注入式激光器和LED
10.2光电二极管
10.3电子开关器件
10.4太阳能电池
10.5总结
参考文献
文中缩略语
金属有机源分子符号
索引