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纳米集成电路制造工艺
字数: 718.00千字
装帧: 平装
出版社: 清华大学出版社
作者: 无 著作 张汝京 等 编者
出版日期: 2014-07-01
商品条码: 9787302360278
版次: 1
开本: 其他
页数: 433
出版年份: 2014
定价:
¥69
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内容简介
本书共分19章,涵盖优选集成电路工艺的发展史,集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化,器件参数与工艺相关性,DFM(Design for Manufacturing), 集成电路检测与分析、集成电路的可靠性,生产控制,良率提升,芯片测试与芯片封装等项目和课题。靠前从事半导体产业的科研工作者、技术工作者和研究生可使用本书作为教科书或参考资料。
作者简介
张汝京,异瑞光电科技(上海)有限公司董事长兼执行长,西安神光安瑞光电有限公司执行长兼总经理,是靠前屈指可数的LED全产业链垂直整合的先导者和领军人物。毕业于台湾大学机械工程学系,于纽约州立大学取得工程学硕士学位并于美国南方卫理公会大学取得电子工程博士学位。曾在美国德州仪器公司工作20年,为该公司在美国、日本等地建立和管理多座半导体工厂。后任台湾世大集成电路公司(WSMC)总裁。2000年,回国创办中芯靠前集成电路制造有限公司,运用其超过30年的半导体芯片研发和制造经验将优选的半导体技术带回了祖国,中国人从此有了中国“芯”。2005年,荣获中华人民共和国国务院颁发的靠前科学技术合作奖;2006年荣获中国半导体业领导体业领军人物称号;2011,荣获上海市首批千人计划专家殊荣。
目录
第1章半导体器件
1.1N型半导体和P型半导体
1.2二极管
1.3金属氧化物半导体场效晶体管
1.4电容和电感
第2章集成电路制造工艺发展趋势
2.1引言
2.2横向微缩所推动的工艺发展趋势
2.2.1光刻技术
2.2.2沟槽填充技术
2.2.3互连层RC延迟的降低
2.3纵向微缩所推动的工艺发展趋势
2.3.1等效栅氧厚度的微缩
2.3.2源漏工程
2.3.3自对准硅化物工艺
……
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