抗辐射集成电路概论--聚文网

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内容简介

《抗辐射集成电路概论》论述抗辐射集成电路方面的知识。《抗辐射集成电路概论》共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射mos集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、fpga加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。
《抗辐射集成电路概论》可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。

作者简介

韩郑生，长期从事半导体工艺技术、集成电路设计研究工作。主要研究方向为可靠性SOI CMOS集成电路技术。研究内容包括SOI CMOS工艺技术开发、静态随机存储器（SRAM）电路设计、集成电路抗辐射性能研究。

第1章绪论
1.1 抗辐射集成电路技术发展概况
1.2 抗辐射集成电路技术的发展方向
1.2.1 soi技术
1.2.2 抗辐射设计技术
1.2.3 新材料、新结构
1.3 本书的章节安排

第2章辐射环境
2.1 空间环境
2.1.1 内辐射带
2.1.2 槽形辐射带
2.1.3 外辐射带和准俘获区
2.1.4 地磁尾区和低高度区
2.1.5 银河宇宙射线
2.1.6 太阳耀斑
2.2 核爆炸辐射环境
2.2.1 大气层外爆炸
2.2.2 大气层内爆炸
2.3 核动力辐射

第3章辐射效应
3.1 总剂量辐射效应
3.2 中子辐射效应
3.3 瞬时辐射效应
3.4 单粒子效应
3.4.1 单粒子瞬变效应和单粒子翻转效应
3.4.2 单粒子闩锁效应
3.4.3 单粒子功能中断
3.4.4 单粒子烧毁效应和单粒子栅穿效应
3.5 剂量增强效应
3.6 低剂量率效应

第4章抗辐射双极集成电路设计
4.1 双极集成电路的制造工艺
4.2 双极集成电路的晶体管
4.3 双极集成电路的二极管
4.4 集成电路中的无源元件
4.5 双极晶体管的辐射效应
4.5.1 中子辐射对双极晶体管特性的影响
4.5.2 丁射线或x射线的瞬时辐射效应
4.6 结构及工艺加固技术
4.6.1 减薄基区宽度
4.6.2 优化集电区参数
4.6.3 优化金属化材料
4.6.4 表面钝化技术
4.6.5 预先增加基区复合
4.7 电路设计加固技术
4.7.1 中子注量加固
4.7.2 对瞬时辐射加固技术
4.8 双极数字电路
4.9 双极模拟电路
4.9.1 运算放大器
4.9.2 比较器
4.9.3 稳压电源
……
第5章抗辐射mos集成电路设计
第6章微处理器加固技术
第7章存储器加固技术
第8章 fpga加固技术
第9章模型参数
第10章集成电路抗辐射性能评估
词汇表
参考文献

摘要

    （2）查表模型
    在查表模型中，需要将不同偏压和不同几何结构器件的电流数据存成表的形式，表中没有的电流则可以采用插值算法计算得到。这些基本数据主要来自实验或类似于MINIMOS／PISECES等器件模拟器得到的结果。
    还有一种与上述直接存储器件电流值IDs的模型查表模型，它是根据不同偏压和不同几何结构器件的初始IDs数据，预先计算出某种数学函数的系数，然后将这些函数的系数存成表的形式，这样根据不同器件通过查表得到相应函数系数，便可以计算出需要的电流和电导值。采用这种方法加快了模型的计算速度，降低了存储量。
    查表模型的优点是它不依赖于工艺技术，并且与物理模型相比，可在较短的时间内建立起来；其缺点是这种模型不能给出器件特性的物理意义。另外，如果要求的准确性高，存储量仍然是个问题。
    查表模型一般只用于器件的DC模拟。由于对应于不同器件端点的电荷很难测量，因此对于瞬态租AC模拟，仍主要是使用解析模型。
    （3）经验模型
    在经验模型中，反映器件特性的模型方程不是基于器件物理导出的，而纯粹是与实验曲线拟合得到的。这类模型参数的优点是它与查表模型相比，需要的数据存储量较小；与其他近似模型相比，建立模型需要的时间较短。其缺点是这种近似与工艺技术有关。尽管经验参数经常包含物理模型中用来描述二维三维的器件特性，但是在电路模拟器中很少使用纯粹的经验模型。
    ……

抗辐射集成电路概论

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