硅基锗材料生长与器件构筑

字数: 112000
装帧: 平装
出版社: 哈尔滨工程大学出版社
作者: 陈城钊著
出版日期: 2020-04-01
商品条码: 9787566126481
版次: 1
开本: 16开
页数: 99
出版年份: 2020

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内容简介

本书是一本硅基锗材料及其光电器件方面的入门书籍。全书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识；其次阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂；最后探讨了硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。本书可作为微电子专业的本科生及研究生的参考书，也可作为该领域工程技术人员的参考资料。

第1章绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 Si基Ge外延生长的研究进展与存在的问题
1.3 Si基Ge材料的器件应用与存在的问题
1.4 本书主要内容
参考文献
第2章 Si基Ge材料的外延生长
2.1 材料生长系统及表征方法
2.2 高质量Si基Ge材料的制备
2.3 本章小结
参考文献
第3章 Si基Ge材料的原位掺杂
3.1 Si基Ge原位掺杂B和P的理论模型
3.2 Si基Ge材料中B和P的原位掺杂
3.3 退火对原位P掺杂Ge材料的影响
3.4 本章小结
参考文献
第4章 Ni与Si基n-Ge接触的热稳定性与电学特性
4.1 Ni／n-Ge接触的热稳定性
4.2 Ni／n-Ge接触的电学特性
4.3 本章小结
参考文献
第5章 Si基Ge PN结与PIN结构
5.1 Si基Ge原位掺杂Ge PN结的制作
5.2 Si基Ge PN结的I-V特性和C-V特性
5.3 SOI基Ge PIN结构的研制与EL谱
5.4 本章小结
参考文献
第6章总结与展望