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新型低维电磁材料研究与纳电子器件设计

新型低维电磁材料研究与纳电子器件设计

  • 字数: 198000
  • 装帧: 平装
  • 出版社: 科学技术文献出版社
  • 作者: 刘娜 著
  • 出版日期: 2024-06-01
  • 商品条码: 9787523514948
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 228
  • 出版年份: 2024
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精选
内容简介
纳电子器件是继微电子器件的新一代电子器件,是电子器件发展的重大变革。而基于新型低维材料的纳电子器件更是满足了当今信息化社会对器件微型化、存储数据大和信息传输速度快的高要求。本书针对当今新型低维电磁材料的发展现状和前景做概括性介绍,并对基于此类材料的应用和纳电子器件的设计做前沿分析,对其中涉及的电子结构和量子输运机理等做全面总结,并以几种实际材料为例介绍这类材料作为纳电子器件的实际应用。为物理学、电子科学与技术等专业学生以及从事新型低维材料研究的科研工作者提供一定参考。
作者简介
刘娜,女,1982年7月出生,凝聚态物理专业理学博士,教授,硕士研究生导师。主要从事自旋电子学方向研究。发表SCI论文10余篇,主持国家自然科学基金项目2项。主讲《光学》课程,指导学生获物理师范生教学技能竞赛和湖北省大学生物理实验创新设计竞赛一等奖等。
目录
1绪论
1.1物质磁性的基本特征和理论
1.2分子磁体
1.3半金属铁磁体
1.4与自旋电子学有关的几个概念和重要现象
1.5本章小结
2几种典型的新型低维半导体材料
2.1石墨烯及其纳米带
2.2单层氮化硼及其纳米带
2.3黑磷烯和蓝磷烯及其纳米带
2.4二硫化钼
2.5本章小结
3理论基础
3.1密度泛函理论
3.2非平衡态格林函数和密度泛函理论相结合方法
3.3本章小结
……

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