硅集成电路工艺基础(第二版)

字数: 546000
装帧: 平装
出版社: 北京大学出版社
作者: 关旭东编
出版日期: 2014-04-01
商品条码: 9787301241097
版次: 2
开本: 16开
页数: 408
出版年份: 2014

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内容简介

本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

作者简介

关旭东北京大学信息学院微电子系职称：教授研究方向：硅集成电路的设计和规划主要作品：硅集成电路工艺基础北京大学出版社

第一章硅晶体和非晶体
1.1硅的晶体结构
1.1.1晶胞
1.1.2原子密度
1.1.3共价四面体
1.1.4晶体内部的空隙
1.2晶向、晶面和堆积模型
1.2.1晶向
1.2.2晶面
1.2.3堆积模型
1.2.4双层密排面
1.3硅晶体中的缺陷
1.3.1点缺陷
1.3.2线缺陷
1.3.3面缺陷
1.3.4体缺陷
……