半导体器件物理与工艺(第3版)--聚文网

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内容简介

《半导体器件物理与工艺（第三版）》分三大部分：第一部分“半导体物理” 主要描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件，最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“ 半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。

作者简介

施敏，获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963-1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施教博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研完机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程令应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士。

第0章引言 0.1 半导体器件 0.2 半导体工艺技术总结参考文献第1部分半导体物理第1章能带和热平衡载流子浓度 1.1 半导体材料 1.2 基本晶体结构 1.3 共价键 1.4 能带 1.5 本征载流子浓度 1.6 施主与受主总结参考文献习题第2章载流子输运现象 2.1 载流子漂移 2.2 载流子扩散 2.3 产生与复合过程 2.4 连续性方程 2.5 热离化发射过程 2.6 隧穿过程 2.7 空间电荷效应 2.8 强电场效应总结参考文献习题第2部分半导体器件第3章 p-n结 3.1 热平衡状态 3.2 耗尽区 3.3 耗尽电容 3.4 电流-电压特性 3.5 电荷存储与瞬态响应 3.6 结击穿 3.7 异质结总结参考文献习题第4章双极型晶体管及相关器件 4.1 晶体管的工作原理 4.2 双极型晶体管的静态特性 4.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 4.4 非理想效应 4.5 异质结双极型晶体管 4.6 可控硅器件及相关功率器件总结参考文献习题

半导体器件物理与工艺(第3版)

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