新型研发机构建设导论

本书深入探讨了新型研发机构的概念内涵与时代成因，通过历史与现实的比较分析，揭示了新型研发机构在科技创新体系中的新定位和新角色。另外，本书以丰富的实践案例为依托，详细阐述了新型研发机构的建设实践过程。在地方政府层面，从区域新型研发机构的建设布局思路、发展历程、支持方式、管理模式、建设成效等方面进行了系统分析。在机构发展层面，从机构的设立初衷、组织架构设计、运行机制创新，到人才团队建设、科研项目管理、成果转化机制等各个环节，都进行了深入剖析和精彩呈现。这些案例不仅展示了新型研发机构在区域推动产业发展、促进经济增长方面的巨大潜力，也为我们提供了宝贵的经验和启示。尤为值得一提的是，本书还深入探讨了政府在新型研发机构建设与管理中的角色与作用。通过分析国内外相关政策法规、扶持措施及其实施效果，作者提出了优化政府管理的建议，强调了政府在引导、支持、保障新型研发机构健康发展中的重要作用。这对于我们完善科技创新政策体系、提升科技创新治理能力具有重要的参考价值。

王胜光，中国科学院科技战略咨询研究院二级研究员。有长达30余年的创新发展政策、科研机构和科技园区等研究经历，承担过上百项国家和地方政府研究课题，是国家重点研发计划“新型研发机构创新服务平台技术研发与应用”项目课题——“新型研发机构建设理论与管理模式研究”的负责人。累计发表文章、论文和专著等70余篇，300余万字。先后被授予“国家高新区建设20年有突出贡献的先进个人”和“火炬计划20年有突出贡献的先进个人”等称号和荣誉。

\\\"新型低维电磁材料研究与纳电子器件设计 4 掺杂六角氮化淜纳米带的奇异输运性质………………………………… 67 4. 1 掺杂 h-BN纳米带的电磁性质............................................. 67 4.2 计算方法和计算参数设置................................................ 72 4.3 碳替代氮控制的氮化绷纳米带中低偏压下的巨 NDR …………… 74 4.4 碳掺杂氮化绷纳米带构建的 p-n结的输运性质 ………………… 82 4.5 本章小结..................................................................... 95 5 二维表面及界面电子结构和半金属性质………………………………… 96 5. 1 钙钦矿相 BaCr03 (001)表面电子结构及半金属性研究 ……… 96 5.2 闪锌矿相 MnSb/GaSb异质结 (001)及 (111)界面电子结构和半金属性研究..................... 115 5.3 本章小结..................................................................... 125 6 掺杂黑磷烯纳米带的电子结构和输运性质……………………………… 127 6. 1 V掺杂位置对黑磷烯纳米带的电子和输运性质的调控………… 128 6.2 边缘钝化对 V掺杂黑磷烯纳米带电子和输运性质的调控……… 141 6. 3 Si掺杂对黑磷烯纳米带的电子和输运性质调控………………… 151 6.4 本罩小结..................................................................... 161 7 两种分子磁体的电子结构和磁性质...... …...... …...... …...... …...... … 162 7. 1 非纯有机铁磁体[ Mn (ins) (庄， I -N3) (CH30H) L的电子结构和磁性质............................ 162 7.2 非纯有机反铁磁体 Co [ (CH3 P03) (H20) ]的电子结构和磁性质................................. 170 7.3 本章小结..................................................................... 177 8 基千单分子磁体 Mn (dmit) 2和 Fe凡的自旋电子学器件……………… 178 8. 1 基于单分子磁体 Mn (dmi正的自旋电子学器件 ……………… 178 8. 2 FeN4分子嵌入扶手椅型石墨烯纳米带的自旋电子学器件……… 190 8.3 本章小结..................................................................... 197 参考文献................................................................................. 199 \\\"