集成电路制造工艺与工程应用 第2版

《集成电路制造工艺与工程应用 第2版》在第1版的基础上新增了大量新工艺彩图，配备了PPT课件和17小时的课程视频。 　　《集成电路制造工艺与工程应用 第2版》以实际应用为出发点，抓住目前半导体工艺的工艺技术逐一进行介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术。然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、Al和Cu金属互连，并将这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让大家能快速地掌握具体工艺技术的实际应用。本书旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。

温德通，芯片设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院。曾就职于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，负责工艺制程整合方面的工作；后加入晶门科技（深圳）有限公司，负责集成电路制造工艺、器件、设计规则、物理验证、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作；目前就职于一家全球领先的芯片设计公司，负责集成电路制造工艺、器件、设计规则、物理验证、闩锁效应、IO电路设计和ESD设计等方面的工作。已出版图书《集成电路制造工艺与工程应用》和《CMOS集成电路门锁效应》。 邮箱：wendetong@139.com

第1章引言 1.1崛起的CMOS工艺制程技术 1.1.1双极型工艺制程技术简介 1.1.2PMOS工艺制程技术简介 1.1.3NMOS工艺制程技术简介 1.1.4CMOS工艺制程技术简介 1.2特殊工艺制程技术 1.2.1BiCMOS工艺制程技术简介 1.2.2BCD工艺制程技术简介 1.2.3HV-CMOS工艺制程技术简介 1.3MOS集成电路的发展历史 1.4MOS器件的发展和面临的挑战 参考文献 第2章先进工艺制程技术 2.1应变硅工艺技术 2.1.1应变硅技术的概况 2.1.2应变硅技术的物理机理 2.1.3源漏嵌入SiC应变技术 2.1.4源漏嵌入SiGe应变技术 2.1.5应力记忆技术 2.1.6接触刻蚀阻挡层应变技术 2.2HKMG工艺技术 2.2.1栅介质层的发展和面临的挑战 2.2.2衬底量子效应 2.2.3多晶硅栅耗尽效应 2.2.4等效栅氧化层厚度 2.2.5栅直接隧穿漏电流 2.2.6高介电常数介质层 2.2.7HKMG工艺技术 2.2.8金属嵌入多晶硅栅工艺技术 2.2.9金属替代栅极工艺技术 2.3SOI工艺技术 2.3.1SOS技术 2.3.2SOI技术 2.3.3PD-SOI 2.3.4FD-SOI 2.4FinFET和UTB-SOI工艺技术 2.4.1FinFET的发展概况 2.4.2FinFET和UTB-SOI的原理 2.4.3FinFET工艺技术 参考文献 集成电路制造工艺与工程应用第2版 目录 第3章工艺集成 3.1隔离技术 3.1.1pn结隔离技术 3.1.2LOCOS（硅局部氧化）隔离技术 3.1.3STI（浅沟槽）隔离技术 3.1.4LOD效应 3.2硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术 3.2.1硬掩膜版工艺技术简介 3.2.2硬掩膜版工艺技术的工程应用 3.3漏致势垒降低效应和沟道离子注入 3.3.1漏致势垒降低效应 3.3.2晕环离子注入 3.3.3浅源漏结深 3.3.4倒掺杂阱 3.3.5阱邻近效应 3.3.6反短沟道效应 3.4热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术 3.4.1热载流子注入效应简介 3.4.2双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术 3.4.3 侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术 3.4.4轻掺杂漏离子注入和 侧墙工艺技术的工程应用 3.5金属硅化物技术 3.5.1Polycide工艺技术 3.5.2Salicide工艺技术 3.5.3SAB工艺技术 3.5.4SAB和Salicide工艺技术的工程应用 3.6静电放电离子注入技术 3.6.1静电放电离子注入技术 3.6.2静电放电离子注入技术的工程应用 3.7金属互连技术 3.7.1接触孔和通孔金属填充 3.7.2铝金属互连 3.7.3铜金属互连 3.7.4阻挡层金属 参考文献 第4章工艺制程整合 4.1亚微米CMOS前段工艺制程技术流程 4.1.1衬底制备 4.1.2双阱工艺 4.1.3有源区工艺 4.1.4LOCOS隔离工艺 4.1.5阈值电压离子注入工艺 4.1.6栅氧化层工艺 4.1.7多晶硅栅工艺 4.1.8轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺 4.1.9侧墙工艺 4.1.10源漏离子注入工艺 4.2亚微米CMOS后段工艺制程技术流程 4.2.1ILD工艺 4.2.2接触孔工艺 4.2.3金属层1工艺 4.2.4IMD1工艺 4.2.5通孔1工艺 4.2.6金属电容（MIM）工艺 4.2.7金属层2工艺 4.2.8IMD2工艺 4.2.9通孔2工艺 4.2.10顶层金属工艺 4.2.11钝化层工艺 4.3深亚微米CMOS前段工艺技术流程 4.3.1衬底制备 4.3.2有源区工艺 4.3.3STI隔离工艺 4.3.4双阱工艺 4.3.5栅氧化层工艺 4.3.6多晶硅栅工艺 4.3.7轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺 4.3.8侧墙工艺 4.3.9源漏离子注入工艺 4.3.10HRP工艺 4.3.11Salicide工艺 4.4深亚微米CMOS后段工艺技术 4.5纳米CMOS前段工艺技术流程 4.6纳米CMOS后段工艺技术流程 4.6.1ILD工艺 4.6.2接触孔工艺 4.6.3IMD1工艺 4.6.4金属层1工艺 4.6.5IMD2工艺 4.6.6通孔1和金属层2工艺 4.6.7IMD3工艺 4.6.8通孔2和金属层3工艺 4.6.9IMD4工艺 4.6.10顶层金属Al工艺 4.6.11钝化层工艺 参考文献 第5章晶圆接受测试 （WAT） 5.1WAT概述 5.1.1WAT简介 5.1.2WAT测试类型 5.2MOS参数的测试条件 5.2.1阈值电压Vt的测试条件 5.2.2饱和电流Idsat的测试条件 5.2.3漏电流Ioff的测试条件 5.2.4源漏击穿电压BVD的测试条件 5.2.5衬底电流Isub的测试条件 5.3栅氧化层参数的测试条件 5.3.1电容Cgox的测试条件 5.3.2电性厚度Tgox的测试条件 5.3.3击穿电压BVgox的测试条件 5.4寄生MOS参数的测试条件 5.5pn结参数的测试条件 5.5.1电容Cjun的测试条件 5.5.2击穿电压BVjun的测试条件 5.6方块电阻的测试条件 5.6.1NW方块电阻的测试条件 5.6.2PW方块电阻的测试条件 5.6.3Poly方块电阻的测试条件 5.6.4AA方块电阻的测试条件 5.6.5金属方块电阻的测试条件 5.7接触电阻的测试条件 5.7.1AA接触电阻的测试条件 5.7.2Poly接触电阻的测试条件 5.7.3金属通孔接触电阻的测试条件 5.8隔离的测试条件 5.8.1AA隔离的测试条件 5.8.2Poly隔离的测试条件 5.8.3金属隔离的测试条件 5.9电容的测试条件 5.9.1电容的测试条件 5.9.2电容击穿电压的测试条件 后记 缩略语 本书配套视频课程