宽禁带功率半导体器件可靠性

装帧: 平装
出版社: 东南大学出版社
作者: 孙伟锋著著
出版日期: 2024-09-01
商品条码: 9787576601534
版次: 1
开本: 其他
出版年份: 2024

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内容简介

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高压、大电流及快速开关等极限条件下长期应用时，可靠性问题频发，严重制约了宽禁带功率半导体器件的推广应用。本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。

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