专利视角下的半导体量检测关键技术

本书创新性地开展“双线联动”和“双维定位”特色分析，重点研究了半导体产业关键核心技术的专利布局脉络和重点申请人布局情况，研究内容紧扣当下产业急需和未来发展趋势，不仅可以为现有科研工作提供有力的支撑，而且为未来的科研工作提供了有效的科研情报信息。本书是了解该行业技术发展现状并预测未来走向、帮助企业做好专利预警的必备工具书。

国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心成立于2011年9月，是国家知识产权局专利局直属事业单位，受国家知识产权局专利局的委托承担如下工作：发明专利申请的实质审查；PCT国际申请的国际检索和国际初步审查；承办上级交办的其他事项。

目录 第1章研究概述 1.1产业概况 1.1.1半导体产业简介 1.1.2全球量检测设备行业概况 1.1.3中国量检测设备行业概况 1.1.4量检测技术发展概况 1.2政策背景 1.2.1全球主要国家和地区产业规划和政策 1.2.2中国产业规划和政策 1.3研究必要性及研究目标 1.3.1研究必要性 1.3.2研究目标 1.3.3研究边界 1.4研究对象和方法 1.4.1技术分解 1.4.2数据检索 1.4.3查全查准评估 1.4.4相关事项和约定 第2章量检测技术专利申请概况 2.1全球专利申请态势 2.1.1申请趋势 2.1.2技术生命周期 2.1.3申请区域分布 2.1.4主要申请人 2.1.5重点技术分支 2.2中国专利申请态势 2.2.1申请趋势 2.2.2技术生命周期 2.2.3申请区域分布 2.2.4主要申请人 2.3小结 第3章面向先进制程的量测重点技术 3.1关键尺寸量测 3.1.1全球专利申请态势 3.1.2在华专利申请态势 3.1.3基于小角X射线散射量测(CD-SAXS) 3.1.4小结 3.2套刻误差量测 3.2.1全球专利申请趋势 3.2.2中国专利申请趋势 3.2.3基于光学衍射的套刻误差量测方法 3.2.4基于光学图像的套刻误差量测方法 3.2.5小结 第4章面向先进制程的检测重点技术 4.1掩模板缺陷检测 4.1.1专利申请趋势 4.1.2DUV掩模板缺陷检测 4.1.3EUV掩模板缺陷检测 4.1.4雷泰光电专利分析 4.1.5小结 4.2晶圆缺陷检测 4.2.1全球专利申请趋势 4.2.2中国专利申请趋势 4.2.3散射法晶圆缺陷检测 4.2.4小结 第5章国外重点申请人分析 5.1科磊 5.1.1科磊概况 5.1.2专利申请态势 5.1.3重点发明人及团队 5.1.4重点专利技术 5.1.5专利布局策略 5.1.6小结 5.2日立 5.2.1日立概况 5.2.2专利申请态势 5.2.3重点发明人 5.2.4重点专利技术 5.2.5小结 5.3阿斯麦 5.3.1阿斯麦概况 5.3.2专利申请态势 5.3.3重点发明人 5.3.4重点专利技术 5.3.5小结 第6章国内重点申请人分析 6.1中科飞测 6.1.1专利申请态势 6.1.2重点发明人及团队 6.1.3小结 6.2御微半导体 6.2.1专利申请态势 6.2.2专利布局策略 6.2.3小结 第7章“先进制程”专利特色分析方法 7.1“双线联动”分析 7.2“内外双维”定位 7.3特色分析成果 第8章结论与建议 8.1主要结论 8.1.1量检测技术发展现状 8.1.2先进制程量检测技术堵点 8.1.3先进制程量检测技术突破路径 8.2主要建议 8.2.1创新主体 8.2.2产业战略