宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用

字数: 419000
装帧: 平装
出版社: 机械工业出版社
作者: (美)贾扬·巴利加等
出版日期: 2024-01-01
商品条码: 9787111736936
版次: 1
开本: 16开
页数: 348
出版年份: 2024

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内容简介

本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

译者序
原书前言
第1章引言1
1.1硅功率器件1
1.2硅功率器件的应用1
1.3碳化硅理想的比导通电阻3
1.4碳化硅功率整流器4
1.5硅功率MOSFET5
1.6碳化硅功率MOSFET7
1.7碳化硅功率结势垒肖特基场效应晶体管（JBSFET）8
1.8碳化硅功率MOSFET高频性能的改进9
1.9碳化硅双向场效应晶体管10
1.10碳化硅功率器件的应用12
1.11氮化镓功率器件13
1.12氮化镓功率器件的应用15
1.13小结15
参考文献16
第2章碳化硅材料的特性18
2.1晶体和能带结构18
……