多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用--聚文网

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内容简介

《多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用》系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、**性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

丛书序
前言
主要符号表
第1章绪论1
1.1位移损伤效应2
1.2单粒子位移损伤效应3
1.3位移损伤的多尺度特点6
1.4位移损伤缺陷的产生及演化模拟8
参考文献11
第2章多尺度模拟方法15
2.1辐射与材料相互作用模拟方法17
2.1.1载能粒子与原子核的碰撞动力学17
2.1.2二体碰撞近似方法19
2.2分子动力学方法23
2.3动力学蒙特卡罗方法27
2.4第一性原理方法30
2.4.1第一性原理计算方法31
2.4.2VASP软件31
2.5器件电学性能模拟方法34
2.5.1缺陷复合理论34
2.5.2位移损伤缺陷的电学性质36
2.5.3SentaurusTCAD软件38
参考文献38
第3章多尺度模拟方法在硅材料位移损伤研究中的应用42
3.1离子入射硅引起的位移损伤缺陷初态研究42
3.1.1离子入射硅初级碰撞过程的蒙特卡罗模拟42
3.1.2硅中离位级联的分子动力学模拟46
3.2位移损伤缺陷的长时间演化机理研究60
3.2.1中子在硅中产生的初级反冲原子能量分布计算62
3.2.2位移损伤缺陷长时间演化的动力学蒙特卡罗模拟63
3.2.3位移损伤缺陷的长时间演化机理69
……

多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用

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