存储器工艺与器件技术--聚文网

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编辑推荐

本书涵盖3D存储器架构、器件、工艺、仿真、阵列操作、可靠性测试及电路设计，是全面专业的存储器技术书籍。编著者为研究所双跨到企业的研究员，研发团队完成了多项3D存储器前沿探索和工程研发任务，并与长江存储科技有限责任公司深度合作，教材结合研究所的基础学术研究和工业界的一线研发经验编写，融合学术界视角和工业界视角，为读者开拓思维和眼界。

内容简介

《存储器工艺与器件技术》根据中国科学院大学“存储器工艺与器件技术”课程讲义整理而来。在撰写的过程中，该书以中国科学院大学办学方针为指导，“科教融合、育人为本、协同创新、服务国家”，明确了注重基础知识建设，培养创新精神的教学目标。全书共12章，包括半导体存储器分类、NAND Flash技术、3D NAND Flash制造工艺、3D NAND Flash器件单元特性、3D NAND Flash模型模拟技术、3D NAND Flash阵列及操作、3D NAND Flash可靠性特性与测试、NAND Flash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等内容。为帮助读者深入掌握有关内容，每章还给出了适量的习题。
《存储器工艺与器件技术》适合作为高等院校微电子学及集成电路等相关学科的高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为广大从事半导体存储器产业的科研工作者和工程师的参考书。

作者简介

霍宗亮,中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，中国科学院人才引进计划学者，中国科学院微电子研究所存储器中心主任，中国科学院大学微电子学院存储器教研室主任。于2016-2017学年开设“存储器工艺与器件”课程，承担或参与了包括02重大专项、重点研发、自然科学基金、中科院STS等多个重量和院级科研项目，在长期的闪存技术研究工作中，在闪存器件存储材料筛选和工艺、器件结构优化设计、存储机理、器件可靠性、集成工艺技术和芯片设计技术等方面形成了特色。近五年发表了50余篇高质量论文，申请了70于项专利，科研成果受到了学术界和业界的关注和肯定，部分成果已经应用于存储产品当中。同时获得了中国科学院微电子研究所科研成果一等奖、集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖等诸多奖项。完成了多项三维存储器前沿探索和工程研发任务，与长江存储公司深度合作，在成功研发出我国第一代32层3D NAND存储芯片的基础上，连续突破并掌握第二代64层、第三代128层3D NAND存储器的核心技术，已成功实现产品量产，达到世界前沿技术水平。

第1章半导体存储器概述
1.1半导体存储器的市场状况
1.1.1市场需求
1.1.2全球存储芯片供给情况
1.1.3中国存储器市场情况
1.2半导体存储器器件简介
1.2.1半导体存储器分类
1.2.2存储器的存储单元
1.2.3NAND Flash产品简介
本章小结
习题
参考文献
第2章Flash存储器技术简介
2.1Flash的历史
2.22D NAND Flash技术发展
2.2.12D NAND Flash架构及操作
2.2.22D NAND Flash技术发展及尺寸缩小
2.2.32D NAND Flash面临的技术挑战
2.33D NAND Flash技术发展
2.3.13D NAND Flash的技术优势及器件原理
2.3.23D NAND CTF的结构发展
2.3.33D浮栅型NAND Flash的结构发展
2.4NAND Flash未来发展趋势
2.4.13D NAND Flash未来发展方向
2.4.2非冯·诺依曼架构简介
2.5NOR Flash技术
2.5.1NOR Flash基本操作
2.5.2NOR Flash存储阵列结构
本章小结
……

存储器工艺与器件技术

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