半导体材料(第4版)

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为低维结构半导体材料；第11章为氧化物半导体材料；第12章为照明半导体材料；第13章为其他半导体材料。

绪论1
第1章硅和锗的化学制备4
1.1硅和锗的物理化学性质4
1.2高纯硅的制备6
1.3锗的富集与提纯13
第2章区熔提纯16
2.1相图16
2.2分凝现象与分凝系数25
2.3区熔原理29
2.4锗的区熔提纯38
第3章晶体生长39
3.1晶体生长理论基础39
3.2熔体的晶体生长55
3.3硅、锗单晶生长61
第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷68
4.1硅、锗晶体中杂质的性质68
4.2硅、锗晶体的掺杂71
4.3硅、锗单晶的位错87
4.4硅单晶中的微缺陷92
第5章硅外延生长96
5.1外延生长概述96
5.2硅衬底制备98
5.3硅的气相外延生长102
5.4硅外延层电阻率的控制113
5.5硅外延层的缺陷118
5.6硅的异质外延122
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体127
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性127
6.2砷化镓单晶的生长方法133
6.3砷化镓单晶中杂质的控制140
6.4砷化镓单晶的完整性144
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备146
第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长150
7.1气相外延生长（VPE）150
7.2金属有机物气相外延生长（MOVPE）153
7.3液相外延生长（LPE）160
7.4分子束外延生长（MBE）165
7.5化学束外延生长（CBE）169
7.6其他外延生长技术171
第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体176
8.1异质结与晶格失配177
8.2GaAlAs外延生长178
8.3InGaAsP外延生长182
第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体187
9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备187
9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象193
9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196
第10章低维结构半导体材料201
10.1低维结构半导体材料的基本特性201
10.2半导体超晶格与量子阱202
10.3半导体量子线与量子点211
10.4低维结构半导体材料的现状及未来215
第11章氧化物半导体材料217
11.1氧化物半导体材料的制备217
11.2氧化物半导体材料的电学性质220
11.3氧化物半导体材料的应用223
第12章宽禁带半导体材料228
12.1Ⅲ族氮化物半导体材料228
12.2SiC材料237
第13章其他半导体材料248
13.1窄带隙半导体248
13.2黄铜矿型半导体250
13.3非晶态半导体材料251
13.4有机半导体材料252
13.5钙钛矿半导体材料255
参考文献256