金属有机化合物气相外延基础及应用--聚文网

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内容简介

金属有机化合物气相处延(MOVPE)技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料，以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。本书是国内第一本全面系统地介绍MOVPE的专著，从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长，以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献，以便读者进一步参考。本书可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。

前言
第1章绪论
1.1外延生长
1.2MOVPE概述
参考文献
第2章MOVPE生长系统
2.1MOVPE气体输运分系统
2.2MOVPE生长反应室分系统
2.3MOVPE尾气处理分系统
2.4MOVPE生长控制装置分系统
2.5MOVPE外延层生长的原位监测
参考文献
第3章原材料
3.1金属有机化合物源
3.2氢化物源
参考文献
第4章MOVPE的热力学分析
4.1外延生长速度的机构
4.2MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系
4.3MOVPE生长相图与单凝聚相生长区
4.4掺杂
参考文献
第5章MOVPE化学反应动力学和质量输运
5.1MOVPE化学反应动力学
5.2MOVPE反应室内的输运现象与模型化
5.3MOVPE化学反应-输运模型的应用
参考文献
第6章MOVPE的表面过程
6.1表面成核
6.2外延生长模式
6.3MOVPE环境下的表面再构
6.4表面活性剂
参考文献
第7章III-V族半导体材料的MOVPE生长
7.1GaAs及其固溶体的MOVPE生长
7.2InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长
7.3锑化物的MOVPE生长
7.4氮化物的MOVPE生长
7.5选择外延生长和非平面衬底上的外延生长
7.6Si、Ge上III-V族半导体的MOVPE生长
参考文献
第8章II-VI族半导体材料的MOVPE生长
8.1ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长
8.2ZnO及其固溶体的MOVPE生长
8.3HgCdTe的MOVPE生长
参考文献
第9章低维半导体材料的MOVPE生长
9.1量子阱结构的MOVPE生长
9.2量子点和量子线结构的生长
参考文献
第10章MOVPE技术在半导体器件方面的应用
10.1发光二极管
10.2激光器
10.3太阳能电池
10.4半导体光探测器
10.5高电子迁移率场效应晶体管
10.6异质结双极晶体管
10.7光电集成电路
参考文献
后记

金属有机化合物气相外延基础及应用

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