垂直型GaN和SiC功率器件--聚文网

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编辑推荐

·本书旨在为从事GaN和SiC晶体生长、加工和功率半导体器件设计领域的学生、研究人员和工程师提供垂直型GaN和SiC功率器件的分析和比较。 ?本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术，内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺，以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。

内容简介

近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业，已成为国际半导体领域的重点研究方向。本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。本书适合从事GaN和SiC功率半导体技术的科研工作者、工程师阅读，也可作为高等院校微电子科学与工程、电力电子技术等相关专业的教材。

作者简介

望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）1986年获得学士学位，1988年获得硕士学位，1995年获得日本东京大学电子工程专业博士学位。1988年加入东京日立株式会社中央研究实验室，参与了GaN和SiC功率器件以及GaAs（砷化镓）微波功率放大器的研究。从1999年到2000年，担任加州大学圣地亚哥分校访问研究员。自2015年以来，他供职于日本国家优选工业科学技术研究所。目前研究方向与高压超结功率器件有关。他先后在国际学术期刊和会议论文集上发表100多篇研究论文。IEEE高级会员，日本应用物理学会会员。东京电子通信大学和东京法政大学兼职讲师。

译者的话
原书前言
第1章垂直型与横向功率半导体器件
1.1 引言
1.2 典型功率半导体器件特性
1.3 垂直型与横向单极功率半导体器件
1.3.1 垂直型和横向单极功率开关器件
1.3.2 垂直型和横向单极功率二极管
1.4 总结
参考文献
第2章 GaN和SiC的物理性质
2.1 引言
2.2 晶体结构
2.2.1 AIN和GaN的晶体结构
2.2.2 SiC的晶体结构
2.2.3 晶体缺陷
2.3 能带
2.4 杂质掺杂
2.4.1 n型掺杂
2.4.2 p型掺杂
2.5 载流子迁移率
2.6 碰撞电离
2.7 品质因数
2.8 总结
参考文献
第3章 p-n结
3.1 引言
3.2 扩散
3.3 连续性方程
3.4 载流子复合寿命
3.4.1 带间复合寿命
3.4.2 间接复合寿命
3.4.3 俄歇复合寿命
3.4.4 载流子复合寿命的整体表达式
3.5 一维p+n突变结的耗尽区宽度
3.6 一维正向电流/电压特性
3.6.1 小注入条件
3.6.2 大注入条件
3.6.3 测量电流/电压特性的示例
3.7 多维正向电流/电压特性
3.7.1 表面复合对p+n二极管外部电流的影响
3.7.2 电场强度对非自对准台面型p+n二极管的影响
3.8 结击穿
3.9 总结
参考文献
第4章光子回收效应
4.1 引言
4.2 光子回收现象的分类
4.3 本征光子回收
4.4 本征光子回收对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.5 自热效应对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.6 非本征光子回收对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.7 非本征光子回收的可能模型
4.8 总结
参考文献
……
第5章体块单晶生长
第6章外延生长
第7章制作工艺
第8章金属半导体接触和单极功率二极管
第9章金属绝缘体半导体电容器和单极功率开关器件
第10章双极功率二极管和功率开关器件
第11章边缘终端
第12章垂直型GaN和SiC功率器件可靠性

垂直型GaN和SiC功率器件

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