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CMOS模拟集成电路设计(第3版)(英文版)
字数: 1223000
装帧: 平装
出版社: 电子工业出版社
作者: (美)菲利普·E.艾伦),(美)道格拉斯·R.霍尔伯格
出版日期: 2021-10-01
商品条码: 9787121419263
版次: 2
开本: 16开
页数: 588
出版年份: 2021
定价:
¥119
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"· 教学与实践相结合,详略得到,难易适中 · 介绍了完整的设计(包括建模、仿真和测试) · 包含大量实例、习题与部分习题解答 · 结合专家、工程师与学生对前版的反馈意见修订"
内容简介
本书是CMOS模拟集成电路设计课程的经典教材,从CMOS技术的前沿出发,结合丰富的实践与教学经验,对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题进行论述。全书共8章,主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识,CMOS技术,器件模型,以及主要模拟电路的原理和设计,包括CMOS子电路,放大器,运算放大器及高性能运算放大器,比较器等。本书通过大量实例阐述设计原理,将理论与实践融为一体,提供了大量习题与部分习题解答。同时针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释。本书可以作为大专院校相关专业高年级本科生和研究生的教材,也可以作为半导体和集成电路设计领域科技人员很有价值的参考书。
目录
第1章绪论
1.1模拟集成电路设
1.2字符、符号和术语
1.3模拟信号处理
1.4模拟VLSI混合信号电路设计举例
1.5小结
习题
参考文献
第2章CMOS技术
2.1基本MOS半导体制造工艺
2.2pn结
2.3MOS晶体管
2.4无源元件
2.5关于CMOS技术的其他考虑
2.6小结
习题
参考文献
第3章CMOS器件模型
3.1简单的MOS管大信号模型(SPICE LEVEL1)
3.2其他MOS管大信号模型的参数
3.3MOS管小信号模型
3.4计算机仿真模型
3.5亚阈区MOS模型
3.6MOS电路的SPICE模拟
3.7小结
习题
参考文献
第4章模拟CMOS子电路
4.1MOS开关
4.2MOS二极管/有源电阻
4.3电流漏和电流源
4.4电流镜
4.5基准电流和电压
4.6与温度无关的基准
4.7小结
4.8设计性习题
习题
参考文献
第5章CMOS放大器
5.1反相器
5.2差分放大器
5.3共源共栅放大器
5.4电流放大器
5.5输出放大器
5.6小结
习题
参考文献
第6章CMOS运算放大器
6.1CMOS运算放大器设计
6.2运算放大器的补偿
6.3两级运算放大器设计
6.4两级运算放大器的电源抑制比
6.5共源共栅运算放大器
6.6运算放大器的仿真和测量
6.7小结
习题
参考文献
第7章高性能CMOS运算放大器
7.1缓冲运算放大器
7.2高速/高频COMS运算放大器
7.3差分输出运算放大器
7.4微功耗运算放大器
7.5低噪声运算放大器
7.6低电压运算放大器
7.7小结
习题
参考文献
第8章比较器
8.1比较器的特性
8.2两级开环比较器
8.3其他开环比较器
8.4开环比较器性能的改进
8.5离散时间比较器
8.6高速比较器
8.7小结
习题
参考文献
附录A模拟电路设计的电路分析
附录B集成电路版图
附录CCMOS器件性能
附录D二阶系统的时域和频域关系
习题解答
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