硅锗低维材料可控生长--聚文网

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内容简介

本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低维结构的可控外延生长技术，并结合丰富的硅锗纳米结构可控生长实例，详细讨论图形硅衬底和斜切硅衬底上低维材料的可控外延生长及其生长机理。最后，简要介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

丛书序
前言
第1章低维半导体材料及其物理性质1
1.1异质结构的能带排列和带阶1
1.2量子阱与超晶格4
1.3量子点9
1.4量子环10
参考文献12
第2章低维半导体材料制备方法概述13
2.1低维半导体材料刻蚀技术简介13
2.2分子束外延生长技术20
2.3低维半导体材料的自组织外延生长30
2.4本章小结39
参考文献39
第3章硅锗低维结构的生长理论42
3.1硅锗低维结构的热力学理论42
3.2图形衬底上硅锗量子点生长动力学理论48
3.3小应力下薄膜外延生长机制52
3.4本章小结58
参考文献58
第4章硅锗低维结构的可控生长技术60
4.1图形衬底辅助外延技术60
4.2斜切Si衬底表面外延技术83
4.3后处理形貌控制技术93
4.4本章小结100
参考文献100
第5章图形硅衬底上硅锗可控外延生长105
5.1有序排布硅锗纳米岛105
5.2可控硅锗纳米岛外延结构127
5.3其他硅锗低维纳米结构生长控制131
5.4本章小结138
参考文献138
第6章斜切Si衬底上硅锗可控外延生长141
6.1〈110〉方向斜切Si衬底上硅锗量子点的可控生长141
6.2斜切Si（1110）衬底上硅锗纳米线的可控生长148
6.3〈100〉方向斜切衬底上硅锗纳米线的可控生长159
6.4本章小结169
参考文献170
第7章可控硅锗低维结构的光电特性172
7.1可控硅锗量子点的发光特性172
7.2石墨烯有序硅锗量子点复合结构的发光行为191
7.3锗硅纳米结构与光学微腔共振模的耦合效应194
7.4可控硅锗低维量子结构的电学输运特性201
7.5本章小结210
参考文献211
第8章硅锗低维结构片上可控集成与器件应用215
8.1定位生长技术与器件可控集成215
8.2硅锗低维可控结构与光电器件集成219
8.3Si基低维新材料与可控光电集成226
8.4可控量子点新型光电器件集成应用展望246
8.5本章小结250
参考文献251

硅锗低维材料可控生长

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