宽禁带半导体电子材料与器件

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的很优选半导体体系，在信息、能源、交通、优选制造国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。本书可供从事半导体材料领域研究和生产的科技工作者、企业工程师、研究生和高年级大学生阅读参考。

丛书序
序
前言
第1章 绪论
第2章 氮化物宽禁带半导体及其异质结构的物理性质
2.1 氮化物半导体的基本物理性质
2.2 氮化物半导体异质结构的基本物理性质
2.3 氮化物半导体异质结构中2DEG的高场输运性质
2.4 氮化物半导体异质结构中2DEG的量子输运性质
2.5 氮化物半导体异质结构中2DEG的自旋性质
参考文献
第3章 氮化物半导体及其异质结构的外延生长
3.1 氮化物半导体的外延生长方法概述
3.2 氮化物半导体的同质外延生长
3.3 氮化物半导体的异质外延生长
参考文献
第4章 氮化物半导体射频电子器件
4.1 GaN基射频电子器件概述
4.2 SiC衬底上GaN基微波功率器件
4.3 Si衬底上GaN基射频电子器件
4.4 GaN基超高频电子器件
4.5 GaN基射频电子器件的应用
参考文献
第5章 氮化物半导体功率电子器件
5.1 GaN基功率电子器件概述
5.2 增强型GaN基功率电子器件及异质结构能带调制工程
5.3 GaN基功率电子器件表面／界面局域态特性与调控
5.4 GaN基垂直结构功率电子器件
5.5 GaN基功率电子器件的可靠性
5.6 GaN基功率电子器件的应用
参考文献
第6章 SiC半导体单晶衬底及外延材料
6.1 SiC半导体的基本物理性质
6.2 SiC半导体单晶衬底材料的生长
6.3 SiC半导体材料的外延生长
参考文献
第7章 SiC半导体功率电子器件
7.1 SiC基功率电子器件概述
7.2 SiC基整流二极管
7.3 SiC基功率开关器件
7.4 SiC基功率电子器件的应用
参考文献
第8章 半导体金刚石材料与功率电子器件
8.1 半导体金刚石的基本物理性质
8.2 金刚石单晶材料的制备方法
8.3 单晶金刚石衬底的制备
8.4 高质量半导体金刚石薄膜的外延生长
8.5 半导体金刚石的掺杂和电导调控
8.6 金刚石基半导体功率电子器件
参考文献
第9章 氧化镓半导体功率电子材料与器件
9.1 氧化镓半导体的基本物理性质
9.2 氧化镓半导体单晶材料的生长
9.3 氧化镓基半导体功率电子器件
参考文献