微电子制造原理与工艺--聚文网

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内容简介

本书首先介绍微电子的技术背景、工艺现状以及发展趋势，并阐述作为半导体衬底材料的单晶硅的生长方法及硅片的制作工艺；然后从基本原理和工艺过程两方面，阐述热氧化、热扩散、离子注入、光刻、刻蚀、蒸发、溅射、化学气相淀积、外延等微电子制造单项工艺过程；再以典型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件为例，介绍制造完整器件并实现集成电路中各器件间隔离和金属化互连的关键工艺技术以及工艺集成的具体步骤；最后介绍工艺监控及电学测试方法。本书适合作为普通高等学校电子封装技术、电子科学与技术、微电子技术等专业高年级本科生和研究生的专业课教材，也可作为微电子制造领域及相关专业工程技术人员的参考书。

第1章绪论
1.1 微电子制造的基本概念
1.1.1 集成电路
1.1.2 制造工艺
1.2 微电子制造技术的发展历史
1.2.1 集成电路的诞生
1.2.2 摩尔定律
1.3 微电子制造技术的发展趋势
1.3.1 半导体材料的发展
1.3.2 器件原理和结构的创新
1.3.3 微电子制造工艺技术的进步
1.3.4 从“More Moore”到“More-Than-Moore”
1.4 本书的内容安排
思考与练习题
参考文献
第2章硅衬底
2.1 单晶硅特性
2.1.1 硅晶体的基本性质
2.1.2 硅晶体的结构
2.1.3 硅晶体的缺陷
2.1.4 硅晶体中的杂质
2.2 硅片的制备
2.2.1 多晶硅的制备
2.2.2 单晶硅生长
2.2.3 切制硅片
思考与练习题
参考文献
第3章氧化与掺杂
3.1 热氧化
3.1.1 SiO2薄膜概述
3.1.2 热氧化原理
3.1.3 热氧化工艺
3.2 热扩散
3.2.1 扩散原理
3.2.2 扩散工艺
3.3 离子注入
3.3.1 离子注入原理
3.3.2 退火及快速热处理
3.3.3 离子注入工艺
思考与练习题
参考文献
第4章图形转移
4.1 光刻
4.1.1 光刻原理
4.1.2 光刻工艺
4.2 刻蚀
4.2.1 湿法刻蚀
4.2.2 干法刻蚀
思考与练习题
参考文献
……
第5章薄膜制备
5.1物理气相淀积
5.2化学气相淀积
5.3外延
思考与练习题
参考文献
第6章工艺集成
6.1 MOS器件简介
6.2 CMOS工艺技术
6.3 CMOS工艺流程
思考与练习题
参考文献
第7章监控与测试
7.1 工艺监控
7.2 测试技术
思考与练习题
参考文献

微电子制造原理与工艺

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