硅MEMS工艺与设备基础

本书主要围绕硅基MEMS加工技术中涉及的体硅工艺清洗、光刻、氧化扩散、刻蚀、键合、检测封装。全书共十章：第一章 湿法腐蚀讨论硅和其它材料的腐蚀、去胶、剥离（金属图形化）；第二章分析薄膜制备和讨论热氧化、CVD、PVD和离子注入技术；第三章集中分析介绍光刻技术，特别针对MEMS器件中常用的接近接触式光刻和双面光刻，并分析光刻中涉及的其它技术；第四章讨论干法刻蚀技术并分析了各种典型的材料刻蚀；第五章分析介绍MEMS工艺中常用的检测、测量方法和技术；第六章重点介绍体硅工艺中较为常用的键合技术以及封装；第七章介绍在

第1章 MEMS技术与器件发展概述
1.1 概述
1.2 MEMS器件
1.2.1 MEMS振荡器
1.2.2 MEMS麦克风
1.2.3 MEMS微镜头
1.2.4 数字微镜器件/数字光学投影技术
1.2.5 MEMS压力传感器
1.2.6 MEMS运动测量器件
1.2.7 微能源器件
1.2.8 MEMS片上实验室/微流控器件
1.2.9 其他MEMS器件
1.3 MEMS商业产品（系统）
1.3.1 医疗健康
1.3.2 运动信息检测
1.3.3 消费类电子
1.3.4 汽车工业
1.3.5 其他应用
1.4 产业分析
1.4.1 三波应用高潮
1.4.2 MEMS产业发展趋势
参考文献
第2章 MEMS工艺与设计规则简介
2.1 硅MEMS工艺
2.1.1 湿法清洗工艺
2.1.2 氧化工艺
2.1.3 光刻工艺
2.1.4 薄膜淀积工艺
2.1.5 掺杂工艺
2.1.6 刻蚀工艺
2.1.7 键合工艺
2.1.8 测试封装工艺
2.2 MEMS器件中的新材料
2.2.1 敏感材料的本质和特点
2.2.2 敏感材料的分类
2.2.3 敏感材料近期新研究进展
2.2.4 敏感材料未来发展前景
2.3 光刻版图设计
2.3.1 光刻版图设计规则类型
2.3.2 同一图层内图形几何尺寸规则
2.3.3 不同层间包含及覆盖几何尺寸规则
2.3.4 版图设计尺寸规则
2.3.5 版图对准标记设计要求
2.3.6 版图设计中的注意事项
2.4 测试结构设计
2.5 制造工艺误差
2.5.1 误差分类
2.5.2 在制造中的实际误差
2.6 典型体硅标准工艺
2.6.1 SOI工艺
2.6.2 SOG工艺
2.7 典型体硅标准工艺扩展
2.8 压阻工艺
2.9 悬臂梁工艺
2.9.1 悬臂梁的基本原理
2.9.2 悬臂梁的制造工艺
参考文献
第3章 湿法清洗
3.1 相关概念与清洗的基本原理
3.1.1 洁净度
3.1.2 污染源分类
……
第4章 氧化
第5章 光刻与图形化
第6章 薄膜淀积
第7章 掺杂
第8章 刻蚀工艺
第9章 MEMS结构工艺
第10章 晶圆键合
第11章 MEMS封装
第12章 检测
附录A 硅MEMS工艺常用化学品与安全
附录B 真空系统介绍