您好,欢迎来到聚文网。
登录
免费注册
网站首页
|
搜索
热搜:
磁力片
|
漫画
|
购物车
0
我的订单
商品分类
首页
幼儿
文学
社科
教辅
生活
销量榜
宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路
字数: 370千字
装帧: 平装
出版社: 国防工业出版社
作者: 赵正平 等
出版日期: 2017-12-01
商品条码: 9787118114546
版次: 1
开本: 16开
页数: 291
出版年份: 2017
定价:
¥98
销售价:
登录后查看价格
¥{{selectedSku?.salePrice}}
库存:
{{selectedSku?.stock}}
库存充足
{{item.title}}:
{{its.name}}
加入购物车
立即购买
加入书单
收藏
精选
¥5.83
世界图书名著昆虫记绿野仙踪木偶奇遇记儿童书籍彩图注音版
¥5.39
正版世界名著文学小说名家名译中学生课外阅读书籍图书批发 70册
¥8.58
简笔画10000例加厚版2-6岁幼儿童涂色本涂鸦本绘画本填色书正版
¥5.83
世界文学名著全49册中小学生青少年课外书籍文学小说批发正版
¥4.95
全优冲刺100分测试卷一二三四五六年级上下册语文数学英语模拟卷
¥8.69
父与子彩图注音完整版小学生图书批发儿童课外阅读书籍正版1册
¥24.2
好玩的洞洞拉拉书0-3岁宝宝早教益智游戏书机关立体翻翻书4册
¥7.15
幼儿认字识字大王3000字幼儿园中班大班学前班宝宝早教启蒙书
¥11.55
用思维导图读懂儿童心理学培养情绪管理与性格培养故事指导书
¥19.8
少年读漫画鬼谷子全6册在漫画中学国学小学生课外阅读书籍正版
¥64
科学真好玩
¥12.7
一年级下4册·读读童谣和儿歌
¥38.4
原生态新生代(传统木版年画的当代传承国际研讨会论文集)
¥11.14
法国经典中篇小说
¥11.32
上海的狐步舞--穆时英(中国现代文学馆馆藏初版本经典)
¥21.56
猫的摇篮(精)
¥30.72
幼儿园特色课程实施方案/幼儿园生命成长启蒙教育课程丛书
¥24.94
旧时风物(精)
¥12.04
三希堂三帖/墨林珍赏
¥6.88
寒山子庞居士诗帖/墨林珍赏
¥6.88
苕溪帖/墨林珍赏
¥6.88
楷书王维诗卷/墨林珍赏
¥9.46
兰亭序/墨林珍赏
¥7.74
祭侄文稿/墨林珍赏
¥7.74
蜀素帖/墨林珍赏
¥12.04
真草千字文/墨林珍赏
¥114.4
进宴仪轨(精)/中国古代舞乐域外图书
¥24.94
舞蹈音乐的基础理论与应用
内容简介
本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体——宽带半导体在固态高频和微波领域的发展,形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。同时介绍宽带半导体高频与微波功率器件与电路这一革命性的发展在雷达、通信和电子对抗等领域的应用。
作者简介
目录
章 绪论
1.1 电力电子器件的发展
1.1.1 Si电力电子器件的发展
1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展
1.1.3 我国电力电子器件的发展
1.2 固态微波器件的发展
1.2.1 Si和GaAS固态微波器件与电路的发展
1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展
1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展
1.3 固态器件在雷达领域的应用
1.3.1 Si、GaAS固态微波器件与固态有源相控阵雷达
1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T/R模块
1.3.3 SiC、GaN高频开关功率器件与开关功率源/固态脉冲调制源
参考文献
第2章 宽禁带半导体材料
2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料
2.1.1 GaN晶体性质和制备
2.1.2 SiC晶体性质和制备
2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术
2.2.1 SiC同质外延生长方法
2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术
2.2.3 SiC外延层缺陷
2.3 氮化物材料的异质外延生长技术
2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择
2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术
2.3.3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题
2.4 宽禁带半导体材料的表征方法
2.4.1 X射线衍射测试
2.4.2 原子力显微镜测量
2.4.3 光致发光谱测量
2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试
2.4.5 汞探针C-V法测量杂质浓度分布
参考文献
第3章 碳化硅高频功率器件
3.1 SiC功率二极管
3.1.1 SiC肖特基二极管
3.1.2 SiC PIN二极管
3.1.3 SiC JBS二极管
3.1.4 SiC二极管进展
3.1.5 SiC二极管应用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究进展
3.2.3 SiC MESFET应用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 关键工艺
3.3.3 SiC MOSFET进展
3.3.4 SiC MOSFET应用
3.4 SiC JFET
3.4.1 SiC JFET的半导体物理基础
3.4.2 横向SiC JFET
3.4.3 垂直SiC JFET
3.4.4 SiC VJFET发展趋势及挑战
3.4.5 SiC JFET应用
3.5 SiC BJT
3.5.1 BJT基本工作原理
3.5.2 BJT基本电学特性
3.5.3 SiC BJT关键技术进展
3.5.4 SiC BJT的应用
3.6 SiC IBJT
3.6.1 工作原理
3.6.2 SiC IGBT进展
3.6.3 SiC IGBT应用
3.7 SiC GTO
3.7.1 晶闸管的导通过程
3.7.2 关断特性
3.7.3 频率特性
3.7.4 临界电荷
3.7.5 SiC GTO研究进展与应用
参考文献
第4章 氧化镓微波功率器件与电路
4.1 GaN HEMT
4.1.1 GaN HEMT器件工作原理
4.1.2 GaN HEMT器件的性能表征
4.1.3 GaN HEMT器件关键技术
4.1.4 国内外D模HEMT器件进展
4.2 GaN MMIC
4.2.1 MMIC功率放大器电路设计
4.2.2 MMIC功率放大器电路制备的关键工艺
4.2.3 国内外GaN MMIC研究进展
4.2.4 GaN MMIC应用
4.3 E模GaN HEMT
4.3.1 E模器件基本原理
4.3.2 国内外E模GaN HEMT器件进展
4.3.3 E模GaN器件应用
4.4 N极性GaN HEMT
4.4.1 N极性GaN HEMT原理
4.4.2 N极性GaN材料生长
4.4.3 国内外N极性面GaN器件进展
4.5 GaN功率开关器件与微功率变换
4.5.1 GaN功率开关器件工作原理
4.5.2 国内外GaN功率开关器件进展
4.5.3 国内外GaN功率开关器件应用
4.5.4 GaN开关功率管应用与微功率变换
参考文献
第5章 展望
5.1 固态太赫兹器件
5.1.1 太赫兹肖特基二极管
5.1.2 太赫兹三极管
5.1.3 氮化物太赫兹固态器件
5.1.4 太赫兹固态器件总结与展望
5.2 金刚石器件
5.2.1 金刚石材料基本性质
5.2.2 金刚石材料生长方法
5.2.3 金刚石器件举例
5.2.4 总结与展望
5.3 二维材料器件
5.3.1 石墨烯材料器件
5.3.2 其他二维材料器件
5.3.3 二维材料器件制备工艺
5.3.4 总结与展望
参考文献
主要符号表
缩略语
×
Close
添加到书单
加载中...
点此新建书单
×
Close
新建书单
标题:
简介:
蜀ICP备2024047804号
Copyright 版权所有 © jvwen.com 聚文网