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产业专利分析报告

产业专利分析报告

  • 字数: 580000.0
  • 装帧: 平装
  • 出版社: 知识产权出版社
  • 作者: 杨铁军 主编
  • 出版日期: 2015-06-01
  • 商品条码: 9787513033466
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 396
  • 出版年份: 2015
定价:¥110 销售价:登录后查看价格  ¥{{selectedSku?.salePrice}} 
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精选
内容简介
本书是高端存储系统行业的专利分析报告。报告从该行业的专利(国内、国外)申请、授权、申请人的已有专利状态、其他优选国家的专利状况、同领域领先企业的专利壁垒等方面入手,充分结合相关数据,展开分析,并得出分析结果。本书是了解该行业技术发展现状并预测未来走向,帮助企业做好专利预警的推荐工具书。
作者简介
杨铁军,中共党员,汉族,1955年12月生,北京人,研究员,毕业于长春邮电学院。1983年至1998年任中国专利局电学发明审查部审查员、副室主任、副部长;1998年至2003年任国家知识产权局专利局电学发明审查部副部长、部长;2004年任国家知识产权局专利局通信发明审查部部长;2004年至2006年任国家知识产权局专利局秘书长、审查业务管理部部长等职务;2006年7月至今,任国家知识产权局副局长、党组成员。
目录
引言/1
关键技术一 存储区域网络 / 5
第1章 研究概况/11
第2章 存储区域网络专利总体状况分析/16
第3章 虚拟化专利分析/24
第4章 资源调度与故障恢复专利分析/53
第5章 EMC专利分析/79
第6章 IBM专利分析/95
第7章 专利并购与诉讼/111
第8章 结论与建议/142
关键技术二 闪存芯片 / 147
第1章 概述/153
第2章 编程抗干扰研究概况/157
第3章 3D Flash技术/179
第4章 重要申请人分析——东芝和闪迪的Flash联盟/202
第5章 专利诉讼/225
第6章 专利联盟(专利池)/238
第7章 结论及建议/256
第8章 附录/259
关键技术三 阻变存储器 / 265
第1章 研究概况/271
第2章 阻变存储器专利申请总览/276
第3章 阻变存储器存储结构专利分析/282
第4章 阻变存储器阻变材料专利分析/299
第5章 三星专利分析/319
第6章 美光专利分析/341
第7章 阻变存储器企业现状、收购及合作/360
第8章 结论与建议/376
附录/381
图索引/388
表索引/395

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