2010高技术发展报告/中国科学院科学与社会

全书在综述2009年高技术发展动态的同时，以新材料、新能源技术为主题，着重介绍新材料、新能源技术发展趋势、产业化动态、产业创新能力与靠前竞争力、高技术与社会等社会普遍关注的重大问题，提出促进中国高技术与产业发展的思路和政策建议。

提高自主创新能力，支撑战略性新兴产业的发展（代序）
前言
第一章  2009年高技术发展综述
第二章  材料技术新进展
  2.1  高性能镁合金的研发与应用新进展
  2.2  新型陶瓷材料技术新进展
  2.3  优选高分子材料研究新进展
  2.4  复合材料技术新进展
  2.5  纳米材料研究的若干新进展
  2.6  超导科学技术新进展
第三章  能源技术新进展
  3.1  洁净煤技术新进展
  3.2  优选核能技术新进展
  3.3  燃料电池技术新进展
  3.4  智能电网新进展
  3.5  分布式能源技术新进展
第四章  能源和材料技术产业化
  4.1  光伏产业化现状和前景
  4.2  风能技术产业化现状和前景
  4.3  我国生物能源产业发展现状与问题
  4.4  液晶显示技术及产业发展状况
  4.5  我国纳米材料产业现状和发展机遇
第五章  产业国际竞争力评价
  5.1  中国制造业创新能力评价
  5.2  中国高技术产业国际竞争力评价
第六章  高技术与社会
  6.1  现代技术的社会风险及其应对
  6.2  我国新能源产业发展的伦理考量：以光伏产业为例
  6.3  关于加强中国纳米技术的社会和伦理问题研究的思考
  6.4  技术政策的伦理维度
第七章  专家论坛
  7.1  关于创新型国家建设的若干问题思考
  7.2  “十二五”国家重大创新基地建设的基本考虑
  7.3  中国中长期能源战略思考
  7.4  我国加快发展电驱动汽车产业的战略思考
  7.5  我国发展低碳经济的思路与对策
  7.6  关于我国发展物联网若干战略问题的思考

    忆阻器可能改变半导体产业。由于晶体管缩小导致功耗增加，且难以安排所有必需的互联，在一个芯片上集成更多的晶体管已变得越来越困难。忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻，由于结构更简单，更易在一个芯片上进行高密度封装，因此基于亿阻器的内存芯片开发成为半导体产业重要的发展方向，其密度要比目前基于晶体管的芯片至少高出一个数量级（10倍）。2009年4月，美国密歇根大学的科研人员发出了一种由纳米级忆阻器构成的芯片，能存储1000比特的信息。该技术易于扩展以存储更多数据，为通用内存的开发提供了可能，给仿生逻辑电路带来了希望，有可能改变半导体产业。4.信息储存与显示技术信息储存向体积更小、容量更大、寿命更长方面发展。数据呈爆炸式增长，优选每天约有15千兆字节的数据产生，2010年优选编码信息数据库每隔11小时就会增加一倍。有效存储和管理数据成为未来信息技术领域需要着重解决的问题，缩小存储器体积、提高储存量、延长存储寿命是信息存储技术发展的三个重要方向。在缩小存储器体积方面，英国诺丁汉大学的科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够很终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态，可以用来生产低成本、小体积的存储器元件，且具有耗电量极低、记录信息高速的特点。在提高信息储存量方面，美国通用电气公司的研究人员利用显微全息存储技术，制造出储容量可达500GB的光盘，是目前DVD光盘的存储容量100倍左右。目前的DVD光盘一般仅将信息存储在光盘表面，而显微全息存储技术利用三维的全息图来编码信息，将全息图刻人光盘表面以及内部，大大提高数据存储能力。在存储寿命极限方面，当前酚性记录存储技术大约为10年，胶卷拍摄的照片大约能够保存60年，提高信息储存时间一直是科学家们努力的方向，能较为保存数据的存储器问世有可能有效解决此问题。2009年5月，美国加利福尼亚大学伯利分校的科学家开发出了一种技术，将只有几十亿分之一米宽的铁单晶放人一个空的纳米管的内部，发现在碳纳米管内部移动的铁晶体能够较为地保存计算机数据。

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