发明专利实审答复案例精选

第一章涉及新颖性问题的答复案例
第一节 新颖性的判断
案例1互连结构及其制造方法
第二节 关于新颖性评价中抵触申请的问题
案例2 LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
第三节 新颖性评价中区别技术特征的认定
案例3封装结构及其封装方法
第二章涉及创造性问题的答复案例
第一节 公知常识或惯用技术手段
案例4掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互连结构的形成方法
案例6半导体结构及其形成方法
案例7晶体管的形成方法
第二节 技术方案的理解
案例8半导体器件及其形成方法
案例9半导体结构的形成方法
案例10驱动电路的数据维持方法和装置
案例11 MOCVD设备的喷淋头及其制作方法
案例12半导体互连结构及形成方法
案例13半导体器件的制造方法
第三节 区别技术特征或技术特征的认定
案例14自对准多重图形的形成方法
案例15压力传感器及其形成方法
案例16半导体器件
案例17半导体器件及其形成方法
案例18半导体结构及其形成方法
案例19金属互连层的制造方法
案例20多指条形GGNMOS
案例21铜互连线的形成方法和介质层的处理方法
案例22光学指纹传感器和电子产品
案例23非接触通信装置
案例24重复利用半导体芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圆结构
第四节 是否存在技术启示
案例26制作浅沟槽隔离结构的方法
案例27互连结构及其形成方法
案例28互连结构的形成方法
案例29半导体器件的形成方法
案例30封装结构及其形成方法
案例31导电结构的形成方法
案例32介质层的形成方法
案例33清洗焊盘的方法
案例34鳍式场效应管的形成方法及半导体结构
案例35P型MOS晶体管及其形成方法
案例36等效信道矩阵计算方法及装置
案例37知识检索方法及装置、存储介质、服务器
第五节 方法限定结构及功能性限定
案例38鳍式场效应管及其形成方法
案例39指纹成像模组和电子设备
案例40射频发射电路、发射机及用户终端
第三章 涉及其他问题的答复案例
第一节 有关《专利法》第26条第4款
案例41半导体结构及其形成方法
案例42电子设备
案例43半导体结构及其形成方法
案例44半导体器件的形成方法
第二节 缺少解决技术问题的必要技术特征
案例45液晶显示装置的显示方法
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