三维芯片集成与封装技术--聚文网

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编辑推荐

自1965年被提出以来，半导体产业的发展一直遵循着摩尔定律。但随着近些年来越来越小的线宽技术的出现，在单一芯片上集成更高密度的电路并实现更多的功能变得越来越困难，成本也越来越高，于是出现了“超越摩尔”的呼声。三维芯片集成与封装技术目前被认为是超越摩尔定律，持续实现器件小型化、高密度、多功能化解决方案的核心技术。三维封装技术，简单来说，就是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内，在垂直方向上叠放两个或者更多芯片的技术。通俗点说，就像盖房子，在占地面积不变的情况下，增加层高，以实现更大的使用面积。相较于传统的封装技术，三维封装缩小了尺寸、减轻了质量，还能以更快的速度运转。近年来，越来越多的企业和研发机构投入大量人力和物力从事三维芯片集成与封装技术的研究，以期在未来的3D时代取得竞争优势。这些企业的工程师、研发人员和技术管理人员，以及研发机构的科学家都迫切需要深入了解3D集成的相关技术。今天给大家介绍的这本《三维芯片集成与封装技术》就是关于这方面的一本好书，它的作者刘汉城博士拥有40多年的集成电路研发和制造经验，是电子、光电子、LED、CIS和MEMS器件和系统方面设计、制造、可靠性、测试和热管理等领域的有名专家，特别是在焊接力学和制造、扇入和扇出倒装芯片 WLP、TSV ，以及其他用于芯片的三维集成和 SiP技术方面有着超高造诣。这本书系统地讨论了用于电子、光电子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3D IC集成和封装技术的近期新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽地讨论了芯片的三维集成和封装关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。重点介绍TSV、应力传感器、微凸点、RDL、硅中介层、MEMS、LED、CMOS图像传感器的三维集成，以及热管理、可靠性等关键技术问题。这本书的内容源自工程实践，为工程师提供有价值的实用指南。

内容简介

本书系统地讨论了用于电子、光电子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3DIC集成和封装技术的近期新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽地讨论了IC的3D集成和封装关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体产业中IC按照摩尔定律的发展以及演变的历史，阐述3D集成和封装的优势和挑战，结合当前3D集成关键技术的发展重点讨论TSV制程与模型、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持晶圆键合技术、3D堆叠的微凸点制造与组装技术、3DSi集成、2.5D/3DIC集成和采用无源转接板的3DIC集成、2.5D/3DIC集成的热管理技术、封装基板技术，以及存储器、LED、MEMS、CIS3DIC集成等关键技术问题，最后讨论3DIC封装技术。
本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件3D集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

译者序
原书前言
第1章半导体IC封装的3D集成1
1.1引言1
1.2 3D集成2
1.3 3D IC封装4
1.4 3D Si集成5
1.5 3D IC集成7
1.5.1混合存储器立方7
1.5.2宽I/O DRAM和宽I/O29
1.5.3高带宽存储器9
1.5.4宽I/O存储器（或逻辑对逻辑）11
1.5.5无源转接板（2.5D IC集成）12
1.6 TSV时代之前的供应链13
1.6.1前道工艺13
1.6.2后道工艺13
1.6.3封装和测试代工13
1.7 TSV时代的供应链——谁制造TSV？14
1.7.1TSV通过先通孔工艺制造14
1.7.2TSV通过中通孔工艺制造14
1.7.3TSV通过后通孔（从正面）工艺制造14
1.7.4TSV通过后通孔（从背面）工艺制造14
1.7.5无源TSV转接板怎么样？14
1.7.6谁想为无源转接板制造TSV？15
1.7.7总结和建议15
1.8 TSV时代的供应链——谁负责MEOL、组装和测试？15
1.8.1宽I/O存储器（面对背）的中通孔TSV制造工艺15
1.8.2宽I/O存储器（面对面）的中通孔TSV制造工艺16
1.8.3宽I/O DRAM的中通孔TSV制造工艺17
1.8.4带有TSV/RDL无源转接板的2.5D IC集成17
1.8.5总结和建议19
……

三维芯片集成与封装技术

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