硅技术的发展和未来

《硅技术的发展和未来》由冶金工业出版社出版。

《硅技术的发展和未来》涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、品格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念；系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。其内容广泛，数据详实，可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。

作者：(法国)P.希弗特 (德国)E.瑞梅尔 译者：屠海令

1 导论：各种形式的硅
1.1 引言
1.2 从20世纪60年代到70年代初：能带
1.3 20世纪70年代：应用于硅的表面理论
1.4 20世纪80年代：硅的结构能
1.5 20世纪90年代：硅团簇与量子点的结构和电子性质
1.6 未来展望
参考文献

第一部分 半导体体硅晶体
2 硅：半导体材料
2.1 引言
2.2 早期历史
2.3 硅研究中的竞争与合作
2.4 最初的器件应用
2.5 MOS技术和集成
2.6 结论
参考文献
3 硅：一个工业奇迹
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生产工艺
参考文献

第二部分 多晶硅
4 电子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分类
4.3 多晶硅生长和微晶结构
4.3.1 CVD多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 CVD多晶硅晶界化学
4.3.4 多晶硅的掺杂
4.4 多晶硅的电性能
4.5 结论
参考文献
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生产工艺的历史与现状
5.2.2 薄膜沉积工艺
5.3 光伏硅的输运特性
5.3.1 缺陷及杂质对硅输运性质的影响
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太阳电池
5.4.1 硅太阳电池技术与其他技术的比较
5.4.2 多晶硅太阳电池技术
5.5 结论
参考文献

第三部分 外延，薄膜和多孔层
6 分子束外延薄膜
6.1 设备原理和生长机理
6.2 历史概述；
6.3 应变异质结构的稳定性
6.3.1 应变层的临界厚度
6.3.2 亚稳态膺晶生长
6.3.3 器件结构的加工和退火
6.4 硅MBE生长膜中掺杂剂的分布
6.4.1 掺杂问题
6.4.2 突变和δ型掺杂分布
6.5 半导体器件研究
6.5.1 异质结双极晶体管（HBT）
6.5.2 SiGeMOSFET和MODFET
6.5.3 垂直MOSFET结构
6.6 若干研究重点介绍
6.6.1 级联激光器
6.6.2 表面结构
6.6.3 自组织和有序化
6.7 结论
参考文献
7 氢化非晶硅（a-Si：H）
7.1 引言
7.2 a-Si的制备和结构性质
7.3 a-Si：H的电学性质
7.4 光致发光和光电导
7.5 亚稳态
7.6 a-Si太阳电池
参考文献
8 绝缘体上硅和多孔硅
8.1 绝缘体上硅
8.1.1 SOIMOS晶体管的一般性质
8.1.2 SOI应用
8.2 SOI材料
8.2.1 早期的SOI材料
8.2.2 蓝宝石上硅（silicon-on-sapphire，SOS）
8.2.3 SIMOX
8.2.4 晶片键合和背面腐蚀
8.2.5 智能剥离（Smart-Cut）
8.2.6 Eltran
8.3 结论
参考文献

第四部分 品格缺陷
9 缺陷能谱学
9.1 引言
9.2 表征缺陷特性的基本参数
9.3 结空间电荷技术
9.3.1 电容技术
9.3.2 热测量技术
9.3.3 光学测量技术
9.4 其他光学测量方法
9.4.1 光热电离谱
9.4.2 傅里叶光电导纳谱
参考文献
10 硅及其在扫描探针显微术进展中的重大作用
10.1 引言
10.2 作为扫描探针显微镜基准的硅
10.3 作为AFM悬臂材料的硅
10.4 作为STM和AFM很好的Si（111）（7x7）表面
参考文献

第五部分 硅掺杂
11 缺陷、扩散、离子注入、再结晶和电介质
11.1 引言
11.2 高温扩散掺杂
11.3 缺陷与扩散机制
11.4 品格缺陷、扩散与吸杂
11.5 离子注入
11.6 硅、氮、碳及电介质
11.7 注入分布
11.8 溅射和分布
11.9 辐照缺陷与态、表面态以及界面态
11.10 离子注入样品的热处理
……
第六部分 某些杂质的作用
第七部分 器件
第八部分 对硅的补充：化合物半导体
第九部分 新的研究领域

    .3.3 器件结构的加工和退火
    厚度小于平衡临界厚度tcm啪的应变层具有固有的稳定性，但亚稳层通过明显高于其生长温度的热处理也能使其变成稳定态。主要原因是SiGe结构的顶上有硅帽层，生长这一层有两个用途：制备功能器件（如HBT的发射极）和便于完成某些加工，如氧化、覆盖保护层。计及这一帽层，平衡临界厚度增加一倍，但其动力学甚至更强，因为人们容易理解，从表面成核位置开始，位错半环不会通过非应变的帽层。直到850℃，已成功生长出应变SiGe层。
    对于小的热负载（thermal budget）加工，瞬时增强扩散（TED）日益重要，这一点并非只对异质结构如此。但在异质结构中，为抑制硼的扩散，一直十分强调碳掺杂的作用。间隙原子与替位碳相互作用并因此阻止了增强的间隙驱动的硼扩散――可以得到突变的极重掺杂区。