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图解入门 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲

图解入门 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲

  • 字数: 196000
  • 装帧: 平装
  • 出版社: 机械工业出版社
  • 作者: 日本可靠性技术丛书编辑委员会 编 李哲洋 等 译
  • 出版日期: 2024-02-01
  • 商品条码: 9787111749622
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 168
  • 出版年份: 2024
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精选
编辑推荐
各种分析工具可有效提升良率 多位日本半导体专家倾力打造 硅集成电路 (LSI) 的失效分析 功率器件的缺陷、失效分析 化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析
内容简介
   本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试,题型为5选1,希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。

本书的读者包括:半导体器件工艺及器件的相关技术人员,可靠性技术人员,失效分析技术人员,试验、分析、实验的负责人,以及大学生、研究生等。因此,罗列的内容层次从基础介绍到最新研究,覆盖范围较广。
目录
前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要
1.1失效分析的定位
1.2缺陷分析的定位
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要
专栏:NANOTS的成立与更名
第1章参考文献
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术
2.2封装部件的失效分析
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览
2.4芯片部件的无损分析方法
2.5芯片部件的半破坏性分析
2.6物理和化学分析方法
专栏:应该如何命名?
第2章练习题
第2章缩略语表
第2章参考文献
……

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