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半导体干法刻蚀技术(原书第2版)

半导体干法刻蚀技术(原书第2版)

  • 字数: 132000
  • 装帧: 平装
  • 出版社: 机械工业出版社
  • 作者: (日)野尻一男 著 王文武 等 译
  • 出版日期: 2024-01-01
  • 商品条码: 9787111742029
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 172
  • 出版年份: 2024
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刻蚀是芯片制造核心工艺,《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》是泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶。泛林集团是全球第三大芯片设备提供商、全球第一大刻蚀设备提供商。《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》是系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南,全书无复杂的数学公式,初学者也能轻松看懂的刻蚀书。
内容简介
本书是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术,在内容上涵盖了从基础知识到最新技术,使初学者能够了解干法刻蚀的机理,而无需复杂的数值公式或方程。本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺,而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术,介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理,例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体,并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
目录
译者序
第2版前言
第1版前言
第1章半导体集成电路的发展与干法刻蚀技术
1.1干法刻蚀的概述
1.2干法刻蚀的评价参数
1.3干法刻蚀在LSI的高度集成中的作用
参考文献
第2章干法刻蚀的机理
2.1等离子体基础知识
2.1.1什么是等离子体
2.1.2等离子体的物理量
2.1.3等离子体中的碰撞反应过程
2.2离子鞘层及离子在离子鞘层中的行为
2.2.1离子鞘和Vdc
2.2.2离子鞘层中的离子散射
2.3刻蚀工艺的设置方法
2.3.1干法刻蚀的反应过程
2.3.2各向异性刻蚀的机理
2.3.3侧壁保护工艺
2.3.4刻蚀速率
2.3.5选择比
2.3.6总结
参考文献
……

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