半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法(2021材料基金)

字数: 500
出版社: 哈尔滨工业大学
作者: 编者:李兴冀//杨剑群//徐晓东//应涛|责编:李长波//宋晓翠
商品条码: 9787576705447
版次: 1
开本: 16开
页数: 401
出版年份: 2023
印次: 1

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内容简介

空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因，然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。全书共分为4章，系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。本书可供从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员参考，也可作为高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生教材。

第1章半导体物理基础 1.1 概述 1.2 半导体的晶体结构与价键模型 1.3 半导体能带 1.4 热平衡载流子 1.5 载流子输运现象 1.6 非平衡载流子 1.7 缺陷对载流子输运性质的影响 1.8 缺陷结构和性质的理论模拟本章参考文献第2章半导体材料器件与原始缺陷 2.1 半导体材料概述 2.2 硅、锗及其外延材料 2.3 化合物半导体材料 2.4 宽禁带半导体材料 2.5 其他半导体材料 2.6 二极管 2.7 双极型晶体管 2.8 MOS场效应晶体管本章参考文献第3章辐射诱导缺陷 3.1 辐射物理基础 3.2 原子位移 3.3 级联损伤 3.4 辐射诱导缺陷模拟仿真本章参考文献第4章缺陷表征与分析方法 4.1 半导体材料参数测试 4.2 半导体器件参数测试 4.3 深能级瞬态谱测试 4.4 光致荧光谱测试本章参考文献名词索引附录部分彩图