存储器工艺与器件技术

本书根据中国科学院大 学“存储器工艺与器件技术” 课程讲义整理而来。在撰写 的过程中，本书以中国科学 院大学办学方针为指导，“ 科教融合、育人为本、协同 创新、服务国家”，明确了 注重基础知识建设，培养创 新精神的教学目标。本书共 12章，包括半导体存储器分 类、NAND Flash技术、3D NAND Flash制造工艺、3D NAND Flash器件单元特性 、3D NAND Flash模型模拟 技术、3D NAND Flash阵列 及操作、3D NAND Flash可 靠性特性与测试、NAND Flash电路设计和系统应用 、DRAM技术以及新型存储 器技术等内容。为帮助读者 深入掌握有关内容，每章还 给出了适量的习题。 本书适合作为高等院校 微电子学及集成电路等相关 学科的高年级本科生和研究 生的教材或教学参考书，也 可作为广大从事半导体存储 器产业的科研工作者和工程 师的参考书。

霍宗亮,中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，中国科学院人才引进计划学者，中国科学院微电子研究所存储器中心主任，中国科学院大学微电子学院存储器教研室主任。于2016-2017学年开设“存储器工艺与器件”课程，承担或参与了包括02重大专项、重点研发、自然科学基金、中科院STS等多个国家级和院级科研项目，在长期的闪存技术研究工作中，在闪存器件存储材料筛选和工艺、器件结构优化设计、存储机理、器件可靠性、集成工艺技术和芯片设计技术等方面形成了特色。近五年发表了50余篇高质量论文，申请了70于项专利，科研成果受到了学术界和业界的关注和肯定，部分成果已经应用于存储产品当中。同时获得了中国科学院微电子研究所科研成果一等奖、集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖等诸多奖项。完成了多项三维存储器前沿探索和工程研发任务，与长江存储公司深度合作，在成功研发出我国第一代32层3D NAND存储芯片的基础上，连续突破并掌握第二代64层、第三代128层3D NAND存储器的核心技术，已成功实现产品量产，达到世界前沿技术水平。

第1章 半导体存储器概述 1.1 半导体存储器的市场状况 1.1.1 市场需求 1.1.2 全球存储芯片供给情况 1.1.3 中国存储器市场情况 1.2 半导体存储器器件简介 1.2.1 半导体存储器分类 1.2.2 存储器的存储单元 1.2.3 NAND Flash产品简介 本章小结 习题 参考文献 第2章 Flash存储器技术简介 2.1 Flash的历史 2.2 2D NAND Flash技术发展 2.2.1 2D NAND Flash架构及操作 2.2.2 2D NAND F1ash技术发展及尺寸缩小 2.2.3 2D NAND Flash面临的技术挑战 2.3 3D NAND Flash技术发展 2.3.1 3D NAND Flash的技术优势及器件原理 2.3.2 3D NAND CTF的结构发展 2.3.3 3D浮栅型NAND Flash的结构发展 2.4 NAND Flash未来发展趋势 2.4.1 3D NAND Flash未来发展方向 2.4.2 非冯·诺依曼架构简介 2.5 NOR Flash技术 2.5.1 NOR F1ash基本操作 2.5.2 NOR Flash存储阵列结构 本章小结 习题 参考文献 第3章 3D NAND Flash存储器工艺集成技术 3.1 半导体基本单步工艺 3.1.1 光刻工艺 3.1.2 刻蚀工艺 3.1.3 外延生长工艺 3.1.4 离子注入/快速热处理 3.1.5 炉管工艺 3.1.6 其他薄膜工艺 3.1.7 湿法工艺 3.1.8 化学机械平坦化 3.2 3D存储器工艺集成 3.2.1 外围电路模块 3.2.2 NO叠层模块 3.2.3 台阶模块 3.2.4 沟道孑L模块 3.2.5 栅隔离槽模块 3.2.6 接触孑L模块 3.2.7 后段模块 本章小结