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MEMS压力传感器理论与技术
字数: 490
出版社: 高等教育
作者: 蒋庄德|责编:刘占伟
商品条码: 9787040604689
版次: 1
开本: 16开
页数: 358
出版年份: 2023
印次: 1
定价:
¥99
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内容简介
压力传感器是使用最为 广泛的力学传感器。微型化 、智能化和网络国化的压力 传感器在高端装备、智能制 造、机器人、物联网等新兴 领域具有可观的应用潜力。 微机电系统(MEMS)具有 尺寸微小、片内集成、批量 制造、材料宽泛等技术优势 ,是智能传感器的主流技术 方向。 蒋庄德院士在MEMS压力 传感器方面的研究两次获得 国家技术发明奖,对我国传 感器行业的技术进步起到了 重要的引领和带动作用。本 书将作者团队多年来在该领 域的科研积累融为一炉,从 相关基础理论出发,论述了 MEMS压力传感器的主流工 艺、器件静动态测试、芯片 电路等关键技术,并详细讨 论了多种原创、特种、高端 的MEMS压力传感器件,对 于传感器或MEMS领域的研 究人员具有重要的指导和参 考意义。
目录
第1章 绪论 1.1 新工业革命对先进传感器提出新要求 1.2 MEMS是先进传感器的主流技术路线 1.3 聚力发展特种、高端的压力传感器 参考文献 第2章 MEMS压力传感器基础理论 2.1 压阻效应压力传感原理 2.1.1 压阻效应 2.1.2 压阻材料 2.2 谐振效应压力传感原理 2.2.1 谐振效应 2.2.2 谐振式压力传感器 2.3 基于其他效应的压力传感原理 2.3.1 基于压电效应的压力传感原理 2.3.2 基于电容效应的压力传感原理 2.3.3 基于光纤技术的压力传感原理 参考文献 第3章 MEMS压力传感器硅微工艺 3.1 硅微工艺流程 3.1.1 体硅工艺流程 3.1.2 表面工艺流程 3.2 双面对准光刻 3.3 各向异性湿法刻蚀 3.4 绝缘体上硅 3.5 硅外延生长 3.6 离子注入 3.7 金属引线 3.7.1 溅射淀积 3.7.2 等离子体刻蚀金属层 3.8 等离子体深硅刻蚀 3.9 阳极键合 3.10 引线键合 参考文献 第4章 SOI耐高温压阻式压力传感器 4.1 耐高温压力传感器概述 4.1.1 SiC耐高温压力传感器 4.1.2 多晶硅耐高温压力传感器 4.1.3 SOS耐高温压力传感器 4.1.4 SOI耐高温压力传感器 4.2 SOI耐高温压力敏感元件 4.2.1 SOI压敏器件结构层的制备 4.2.2 SOI平膜压阻芯片设计 4.2.3 压力传感器芯片版图设计 4.3 梁膜结合耐高温并瞬态高温冲击压力传感器 4.3.1 弹性元件设计 4.3.2 梁膜结合耐高温压力传感器结构建模 4.4 厚膜宽边耐高温高压压力传感器 4.4.1 耐高压设计 4.4.2 传感器芯片的结构设计 4.4.3 传感器芯片压敏电阻设计
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