半导体物理与器件(普通高等教育十一五电子信息类规划教材)

本书较系统全面地阐 述了半导体物理的基础知 识和典型半导体器件的工 作原理、工作特性。具体 内容包括：半导体材料的 基本性质、PN结机理与 特性、双极型晶体管、 MOS场效应晶体管、半导 体器件制备技术、Ga在 SiO2／Si结构下的开管掺 杂共6章。每章后附有内 容小结、思考题和习题。 书后有附录，附录A是本 书的主要符号表，附录B 是常用物理常数表，附录 C是锗、硅、砷化镓主要 物理性质表，附录D是求 扩散结杂质浓度梯度的图 表和方法。对本书各章内 容可以单独选择或任意组 合使用。 本书可作为半导体、 微电子技术、应用物理等 电子信息类专业本科生的 必修教材，也可作为电子 学相关专业本科生、研究 生选修课教材，以及供信 息技术领域人员参考。

前言 第1章 半导体材料的基本性质 1.1 半导体与基本晶体结构 1.1.1 半导体 1.1.2 半导体材料的基本特性 1.1.3 半导体的晶体结构 1.1.4 晶面及其表示方法 1.1.5 半导体材料简介 1.2 半导体的能带 1.2.1 孤立原子中电子能级 1.2.2 晶体中电子的能带 1.2.3 硅晶体能带的形成过程 1.2.4 能带图的意义及简化表示 1.3 本征半导体与本征载流子浓度 1.3.1 本征半导体的导电机构 1.3.2 热平衡状态与热平衡载流子浓度 1.3.3 本征载流子浓度 1.3.4 费米能级与载流子浓度的关系 1.4 杂质半导体与杂质半导体的载流子浓度 1.4.1 N型半导体与P型半导体 1.4.2 施主与受主杂质能级 1.4.3 杂质半导体的载流子浓度 1.4.4 杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系 1.4.5 杂质半导体随温度的变化 1.5 非平衡载流子 1.5.1 非平衡载流子的产生 1.5.2 非平衡载流子的寿命 1.5.3 非平衡载流子的复合类型 1.5.4 准费米能级 1.6 载流子的漂移运动 1.6.1 载流子的热运动与漂移运动 1.6.2 迁移率μ 1.6.3 半导体样品中的漂移电流密度 1.6.4 半导体的电阻率p 1.7 载流子的扩散运动 1.7.1 扩散方程的建立 1.7.2 根据相应的边界条件确定△P(x)的特解 1.7.3 扩散系数与迁移率的关系——爱因斯坦关系式 1.7.4 扩散长度的物理意义 1.7.5 连续性方程 本章小结 思考题和习题 第2章 PN结机理与特性 2.1 平衡PN结的机理与特性 2.1.1 PN结的制备与杂质分布 2.1.2 平衡PN结形成与能带 2.1.3 平衡PN结的接触电势差 2.1.4 平衡PN结的载流子浓度分布 2.2 正向PN结机理与特性 2.2.1 正向偏置与正向注入效应