模拟电子技术基础(第2版)

本教材为“十二五”普通 高等教育本科国家级规划教 材，教育部高等学校电子电 气基础课程教学指导分委员 会推荐教材。 主要内容包括半导体器 件基础、放大电路基础和集 成电路基础三篇，半导体器 件基础介绍二极管、双极型 晶体管和场效应管的基本原 理，强调外部特征和应用； 放大电路基础阐述基本放大 电路的构成、特点和应用， 强调工程近似概念；集成电 路基础包含集成运算放大器 的构成、反馈、信号处理与 产生、直流电源等内容，强 调运算放大器的工程应用。 本教材可以作为高等院 校电气类、自动化类、电子 信息类各专业模拟电子技术 基础课程的教材，也可作为 工程技术人员的参考书。

第一篇 半导体器件基础 l 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体的共价键结构 1.1.2 本征半导体及其本征激发 1.1.3 杂质半导体 1.2 PN结的形成及特性 1.2.1 载流子的扩散及漂移 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2 3 PN结的伏安特性 1.2.4 PN结的反向击穿 1.2.5 PN结的电容效应 1.3 二极管 1.3.1 二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.4 二极管电路例题 1.5 特殊二极管 1.5.1 稳压管 1.5.2 发光二极管 1 5.3 光电二极管 1.5.4 光电耦合器件 1.5.5 肖特基二极管 1.5.6 变容二极管 本章小结 自我检测题 习题 2 晶体管 2.1 BJT 2.1.1 BJT结构简介 2.1.2 放大状态下载流子的传输过程及电流分配关系 2.1.3 BJT共射接法时的伏安特性 2.1.4 BJT的主要参数 2.2 结型场效应管 2.2.1 结型场效应管的结构 2.2.2 结型场效应管的工作原理 2.2.3 结型场效应管的特性曲线 2.3 金属-氧化物-半导体场效应管 2.3.1 N沟道增强型MOSFET的结构 2.3.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 2.3.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 2.3.4 N沟道耗尽型MOSFET 2.3.5 P沟道MOSFET 2.4 场效应管的主要参数 2.4.1 直流参数 2.4.2 交流参数 2.4.3 极限参数 本章小结 自我检测题 习题