光电子器件(第3版十三五普通高等教育规划教材)

本书着重讲授光电子 探测与成像器件的基础理 论和基本知识。主要内容 有：半导体光电探测器、 光电倍增管、微光像增强 器、真空摄像管、CCD和 CMOS成像器件、致冷和 非致冷红外成像器件、紫 外成像器件、X射线成像 器件。 本书适合电子科学与 技术、光电子技术、物理 电子学等专业本科生作为 教材使用，也可供相近专 业的研究生阅读，同时可 供从事光电子器件研究和 从事光电子技术的技术人 员参考。

绪论 第1章 光电导探测器 1.1 光电子器件的基本特性 1.1.1 光谱响应率和响应率 1.1.2 最小可探测辐射功率和探测率 1.1.3 光吸收系数 1.1.4 光生载流子的复合 1.2 光电导探测器原理 1.2.1 光电导效应 1.2.2 光电导电流 1.2.3 光电导增益 1.2.4 光电导灵敏度 1.2.5 光电导惰性和响应时间 1.2.6 光电导的光谱响应特性 1.2.7 电压响应率 1.2.8 探测率Dλ 1.3 光敏电阻 1.3.1 光敏电阻的结构 1.3.2 光敏电阻的特性 练习题 第2章 结型光电探测器 2.1 光生伏特效应 2.1.1 PN结 2.1.2 PN结电压电流公式 2.1.3 PN结光生伏特效应 2.1.4 光照平行结的定态情况 2.1.5 光照垂直于PN结的定态情况 2.1.6 光照垂直于NP结的定态情况 2.2 光电池 2.2.1 光电池的结构 2.2.2 光电池的电流与电压 2.2.3 光电池的主要特性 2.3 光电二极管 2.3.1 PN结型光电二极管 2.3.2 PIN型光电二极管 2.3.3 雪崩光电二极管 2.4 光电三极管 2.4.1 光电三极管结构和工作原理 2.4.2 光电三极管的主要性能参数 练习题 第3章 光电阴极与光电倍增管 3.1 光电发射过程 3.1.1 外光电效应 3.1.2 金属的光谱响应 3.1.3 半导体光电发射过程 3.1.4 实用光电阴极 3.2 负电子亲和势光电阴极 3.2.1 负电子亲和势光电阴极的原理 3.2.2 NEA光电阴极中的电子传输过程 3.2.3 NEA阴极的量子产额