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微纳米加工技术及其应用(第4版)(精)

微纳米加工技术及其应用(第4版)(精)

  • 字数: 670
  • 出版社: 高等教育
  • 作者: 崔铮|责编:刘占伟//任辛欣
  • 商品条码: 9787040543025
  • 版次: 4
  • 开本: 16开
  • 页数: 549
  • 出版年份: 2020
  • 印次: 1
定价:¥129 销售价:登录后查看价格  ¥{{selectedSku?.salePrice}} 
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精选
内容简介
本书在《微纳米加工技 术及其应用》(第三版)的 基础上,做了部分修订,增 加了微纳米加工技术在过去 6年中的一些最新进展,特 别是大规模集成电路光刻技 术的进步。第四版仍保持第 三版的风格,着重对各种加 工技术的原理进行阐述,列 举基本的工艺步骤,说明各 种工艺条件的由来,并注意 给出典型工艺参数;充分分 析了各种技术的优缺点,包 括每种加工技术的能力与极 限及在应用过程中的注意事 项。全书强调实用,避免烦 琐的数学分析,而以大量图 例加以说明;既注重基础知 识又兼顾微纳米加工领域近 年来的最新进展。在应用方 面主要介绍了微纳米加工技 术在超大规模集成电路加工 、纳米电子学、高密度磁存 储技术、光电子技术、微机 电系统技术、生物芯片技术 与纳米技术中的典型应用。 每一章都列举了大量相关参 考文献,供进一步发掘详细 信息与深入研究。本书无论 对初次涉足这一领域的大专 院校的本科生或研究生,还 是已经有一定工作经验的专 业科技人员,都具有很好的 参考价值。
目录
第1章 绪论 1.1 微纳米技术与微纳米加工技术 1.2 微纳米加工的基本过程与分类 1.3 本书的内容与结构 参考文献 第2章 光学曝光技术 2.1 引言 2.2 光学曝光方式与原理 2.2.1 掩模对准式曝光 2.2.2 掩模投影式曝光 2.3 光学曝光的工艺过程 2.4 光刻胶的特性 2.4.1 光刻胶的一般特性 2.4.2 正性光刻胶与负性光刻胶的比较 2.4.3 化学放大胶 2.4.4 特殊光刻胶 2.5 光学掩模的设计与制作 2.6 光学曝光技术的演进 2.6.1 缩短曝光波长 2.6.2 增加数值孔径 2.6.3 浸没式曝光 2.7 多重曝光技术 2.8 光学曝光分辨率增强技术 2.8.1 离轴照明技术 2.8.2 空间滤波技术 2.8.3 移相掩模技术 2.8.4 光学邻近效应校正技术 2.8.5 面向制造的掩模设计技术 2.8.6 光刻胶及其工艺技术 2.9 计算曝光技术 2.9.1 标量衍射成像理论 2.9.2 光学曝光模拟过程 2.9.3 光学曝光质量的比较 2.10 极紫外曝光技术 2.10.1 光源 2.10.2 光学系统 2.10.3 掩模 2.10.4 光刻胶 2.11 其他光学曝光技术 2.11.1 X射线曝光 2.11.2 近场光学曝光 2.11.3 邻场光学曝光 2.11.4 干涉光学曝光 2.11.5 无掩模光学曝光 2.11.6 激光微立体成型 2.11.7 灰度曝光 2.12 厚胶曝光技术 2.12.1 传统光刻胶 2.12.2 SU-8光刻胶 2.12.3 LIGA技术

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