嵌入式系统中的辐射效应

由拉乌尔·委拉兹克、帕斯卡·弗埃雷特、(巴 西)里卡多·赖斯等著的《嵌入式系统中的辐射效应/ 国际电气工程先进技术译丛》由法国TIMA实验室的 RaoulVelazco、法国波尔多第壹大学的 PascalFouillat和巴西南里奥格兰德联邦大学的 RicardoReis共同编著，从环境、效应、测试、评价 、加固和预计等方面全面详细介绍了嵌入式系统中的 辐射效应，主要内容包括空间辐射环境、微电子器件 中的辐射效应、电子器件的在轨飞行异常、多层级故 障效应评估、基于脉冲激光的单粒子效应测试和分析 技术、电路的加固方法及自动化工具、辐射效应试验 测试设备以及数字架构的错误率预计方法等。本书内 容全面、丰富且针对性强，覆盖了电子器件及系统辐 射效应的方方面面。区别于其他电子系统辐射效应论 著，本书从工程化的角度论述空间辐射效应评估、地 面模拟、软错误率预计等技术以及国际上目前先进的 研究方法论，同时兼具基础性和理论性。本书适合专 业从事电子器件及系统辐射效应研究的科研人员和工 程化应用的技术人员阅读和借鉴；同时，也可为该领 域的“新人”（如研究生）提供必备的基础知识。

译者序 原书前言 第1章 空间辐射环境 1.1 空间辐射效应 1.1.1 空间辐射环境：范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线 1.1.2 剂量效应：产生原因、对电子器件的影响、辐射强度 1.1.3 位移效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度 1.1.4 重离子效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度 1.1.5 质子效应：产生原因（直接或间接）、对电子器件的效应、辐射强度 1.2 其他效应 1.2.1 原子氧：来源和效应 1.2.2 太阳紫外线：来源和效应 1.2.3 微流星体：来源和效应 1.2.4 轨道碎片：来源和效应 参考文献 第2章 微电子器件的辐射效应 2.1 引言 2.1.1 长期效应 2.1.2 瞬态效应 2.2 mos器件 2.2.1 阈值电压漂移 2.2.2 退化效应 2.2.3 亚阈斜率 2.2.4 MOSFET的泄漏电流 2.3 双极型器件 2.3.1 简介 2.3.2 电流成分 2.3.3 射-基间耗尽区的复合效应 2.3.4 中立基区的复合效应 2.3.5 电流增益 2.4 单粒子效应 2.4.1 引言 2.4.2 仿真方法 2.4.3 器件级效应 2.5 概述 致谢 参考文献 第3章 电子器件的飞行异常 3.1 引言 3.2 辐射效应综述 3.2.1 空间环境 3.2.2 元器件中的主要效应类型 3.3 飞行异常和空间环境 3.3.1 数据来源 3.3.2 统计对比 3.3.3 空间天气事件效应的一个重要例子 3.4 累积效应 3.4.1 人工辐射带 3.4.3 木星上的伽利略探测器 3.4.4 超敏感系统